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参数资料
| 型号： | IXFH400N075T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 400A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | TrenchT2™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 400A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.3 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 420nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 24000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1000W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXFH400N075T2
IXFT400N075T2
70
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
70
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
60
50
R G = 1 ? , V GS = 10V
V DS = 37.5V
60
50
R G = 1 ? , V GS = 10V
V DS = 37.5V
T J = 125oC
40
I
D
= 100A
40
30
30
20
10
0
I
D
= 200A
20
10
0
T J = 25oC
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
500
120
60
100
400
300
200
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 37.5V
I D = 200A
I D = 100A
100
80
60
55
50
45
40
35
t f t d(off) - - - -
R G = 1 ? , V GS = 10V
V DS = 37.5V
I D = 200A
I D = 100A
95
90
85
80
75
30
70
100
40
25
65
0
20
20
60
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
55
120
600
600
50
45
t f t d(off) - - - -
R G = 1 ? , V GS = 10V
V DS = 37.5V
110
100
500
400
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 37.5V
I D = 200A, 100A
500
400
40
90
300
300
35
30
T J = 25oC, 125oC
80
70
200
200
25
20
60
50
100
0
100
0
40
60
80
100
120
140
160
180
200
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I D - Amperes
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
R G - Ohms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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