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参数资料
| 型号： | IXFH70N30Q3 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 300V 70A TO-247 |
| 特色产品： | Q3-Class HiPerFET? Power MOSFETs |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 70A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 54 毫欧 @ 35A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 98nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4735pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 830W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXFT70N30Q3
IXFH70N30Q3
70
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
V GS = 10V
140
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
V GS = 10V
60
50
9V
8V
120
100
40
30
20
7V
80
60
40
9V
8V
10
0
6V
20
0
7V
6V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
0
5
10
15
20
25
30
70
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
3.0
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 35A Value vs.
Junction Temperature
60
50
V GS = 10V
9V
2.6
2.2
V GS = 10V
I D = 70A
40
30
20
10
8V
7V
1.8
1.4
1.0
0.6
I D = 35A
6V
0
5V
0.2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.8
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 35A Value vs.
Drain Current
80
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
3.4
3.0
2.6
2.2
1.8
V GS = 10V
T J = 125oC
70
60
50
40
30
1.4
1.0
0.6
T J = 25oC
20
10
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH74N20 | MOSFET N-CH 200V 74A TO-247 |
| IXFH75N10Q | MOSFET N-CH 100V 75A TO-247AD |
| IXFH75N10 | MOSFET N-CH 100V 75A TO-247AD |
| IXFH76N07-11 | MOSFET N-CH 70V 76A TO-247AD |
| IXFH7N80 | MOSFET N-CH 800V 7A TO-247AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH74N20 | 功能描述:MOSFET 74 Amps 200V 0.03 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH74N20P | 功能描述:MOSFET 74 Amps 200V 0.034 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH75N10 | 功能描述:MOSFET 100V 75A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH75N10 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247 |
| IXFH75N10Q | 功能描述:MOSFET 75 Amps 100V 0.02 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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