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参数资料
| 型号： | IXFH75N10Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 75A TO-247AD |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 37.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 180nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
IXFH 75N10Q
IXFT 75N10Q
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
TO-247 AD Outline
g fs
V DS = 10 V; I D = 0.5 I D25 , pulse test
30
45
S
C iss
C oss
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
3700
1300
pF
pF
1
2
3
C rss
t d(on)
425
31
pF
ns
t r
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
65
ns
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
R thJC
R thCK
R G = 4.7 ? (External)
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
(TO-247)
65
28
140 180
30
65
0.42
0.25
ns
ns
nC
nC
nC
K/W
K/W
Terminals: 1 - Gate 2 - Drain
3 - Source Tab - Drain
Dim. Millimeter Inches
Min. Max. Min. Max.
A 4.7 5.3 .185 .209
A 1 2.2 2.54 .087 .102
A 2 2.2 2.6 .059 .098
b 1.0 1.4 .040 .055
b 1 1.65 2.13 .065 .084
b 2 2.87 3.12 .113 .123
C .4 .8 .016 .031
D 20.80 21.46 .819 .845
E 15.75 16.26 .610 .640
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
I S V GS = 0 V
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
75 A
e 5.20 5.72
L 19.81 20.32
L1 4.50
? P 3.55 3.65
Q 5.89 6.40
R 4.32 5.49
S 6.15 BSC
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
I SM
V SD
Repetitive;
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
300
1.5
A
V
TO-268 Outline
t rr
Q RM
I RM
I F = 50A,-di/dt = 100 A/ μ s, V R = 50 V
0.85
8
200
ns
μ C
A
Min Recommended Footprint
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH75N10 | MOSFET N-CH 100V 75A TO-247AD |
| IXFH76N07-11 | MOSFET N-CH 70V 76A TO-247AD |
| IXFH7N80 | MOSFET N-CH 800V 7A TO-247AD |
| IXFH7N90Q | MOSFET N-CH 900V 7A TO-247 |
| IXFH80N08 | MOSFET N-CH 80V 80A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH76N06 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 76A I(D) | TO-247AD |
| IXFH76N06-11 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFH76N06-12 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFH76N07-11 | 功能描述:MOSFET 70V 76A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH76N07-11 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247 |
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