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参数资料
| 型号： | IXFH80N08 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 80V 80A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 180nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt
Preliminary data sheet
IXFH 80N08 V DSS
IXFT 80N08 I D25
R DS(on)
t rr ≤ 200 ns
= 80 V
= 80 A
= 9 m ?
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-247 AD (IXFH)
V DSS
V DGR
V GS
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
80
80
± 20
V
V
V
V GSM
I D25
I L(RMS)
I DM
I AR
E AR
Transient
T C = 25 ° C
Lead current limit
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
± 30
80
75
320
80
50
V
A
A
A
A
mJ
TO-268 ( IXFT) Case Style
(TAB)
E AS
dv/dt
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
2.5
5
J
V/ns
G
S
(TAB)
P D
T J
T JM
T stg
T L
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s
300
-55 to +150
150
-55 to +150
300
W
° C
° C
° C
° C
G = Gate D = Drain
S = Source TAB = Drain
M d
Mounting torque
1.13/10 Nm/lb.in.
Features
Weight
TO-247
TO-268
6
4
g
g
l
l
l
International standard packages
Low R DS (on)
Rated for unclamped Inductive load
switching (UIS)
l
Molding epoxies meet UL 94 V-0
flammability classification
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
Advantages
V DSS
V GS = 0 V, I D = 1 mA
80
V
l
Easy to mount
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
2.0
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
4.0
± 100
50
1
V
nA
μ A
mA
l
l
Space savings
High power density
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
9
m ?
? 2001 IXYS All rights reserved
98810A (5/01)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH80N10 | MOSFET N-CH 100V 80A TO-247 |
| IXFH8N80 | MOSFET N-CH 800V 8A TO-247 |
| IXFH9N80Q | MOSFET N-CH 800V 9A TO-247 |
| IXFI7N80P | MOSFET N-CH 800V 7A TO-263 |
| IXFJ13N50 | MOSFET N-CH 500V 13A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH80N085 | 功能描述:MOSFET HiPerFETTM Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH80N10 | 功能描述:MOSFET 80 Amps 100V 0.125 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH80N10Q | 功能描述:MOSFET 100V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH80N15Q | 功能描述:MOSFET 80 Amps 150V 0.0225 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH80N20Q | 功能描述:MOSFET 200V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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