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参数资料
| 型号： | IXFH8N80 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 8A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.1 欧姆 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 2.5mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 180W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET
Preliminary Data Sheet
TM
Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode
High dv/dt, Low t rr , HDMOS TM Family
V DSS
IXFH8N80 800V
IXFH9N80 800V
I D25
8A
9A
R DS(on)
1.1 ?
0.9 ?
t rr
250 ns
250 ns
TO-247 AD (IXFH)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
V GS
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
800
800
± 20
V
V
V
V GSM
Transient
± 30
V
TO-247 SMD*
I D25
I DM
I AR
E AR
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
8N80
9N80
8N80
9N80
8N80
9N80
8
9
32
36
8
9
18
A
A
A
A
A
A
mJ
G = Gate
S = Source
G
D (TAB)
S
D = Drain
TAB = Drain
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
T C = 25 ° C
5
180
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V/ns
W
° C
° C
° C
*Add suffix letter "S" for surface mountable
package
Features
Low R DS (on) HDMOS TM process
M d Mounting torque
Weight
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Symbol Test Conditions
1.13/10 Nm/lb.in.
TO-204 = 18 g, TO-247 = 6 g
300 ° C
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
? International standard packages
?
? Rugged polysilicon gate cell structure
? Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
? Low package inductance
- easy to drive and to protect
? Fast intrinsic Rectifier
Applications
V DSS
V GS(th)
I GSS
V GS = 0 V, I D = 3 mA
V DSS temperature coefficient
V DS = V GS , I D = 2.5 mA
V GS(th) temperature coefficient
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
800
2
0.088
-0.257
4.5
± 100
V
%/K
V
%/K
nA
?
?
?
?
?
?
DC-DC converters
Battery chargers
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
DC choppers
AC motor control
Temperature and lighting controls
I DSS
R DS(on)
V DS = 0.8 ? V DSS T J = 25 ° C
V GS = 0 V T J = 125 ° C
V GS = 10 V, I D = 0.5 ? I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle δ ≤ 2%
8N80
9N80
250
1
1.1
0.9
μ A
mA
?
?
Advantages
? Easy to mount with 1 screw (TO-247)
(isolated mounting screw hole)
? Space savings
? High power density
? 1997 IXYS All rights reserved
96527A (8/97)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH9N80Q | MOSFET N-CH 800V 9A TO-247 |
| IXFI7N80P | MOSFET N-CH 800V 7A TO-263 |
| IXFJ13N50 | MOSFET N-CH 500V 13A TO-220 |
| IXFJ32N50Q | MOSFET N-CH 500V 32A TO-220 |
| IXFJ40N30 | MOSFET N-CH 300V 40A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH8N80S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-247SMD |
| IXFH90N20Q | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFETTM Power MOSFETs Q-CLASS |
| IXFH94N30P3 | 功能描述:MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH94N30T | 功能描述:MOSFET Trench HiperFETs Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH96N15P | 功能描述:MOSFET 96 Amps 150V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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