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参数资料
型号： IXFH8N80
厂商： IXYS
文件页数： 3/4页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 800V 8A TO-247
标准包装： 30
系列： HiPerFET™
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 1.1 欧姆 @ 4A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 4.5V @ 2.5mA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 130nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 2600pF @ 25V
功率 - 最大： 180W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-247-3
供应商设备封装： TO-247
包装： 管件
IXFH8N80
IXFH9N80
Figure 1. Output Characteristics at 25 O C
Figure 2. Output Characteristics at 125 O C
9
V
  9ROW
9
V
  9 ROW
Figure 3. R DS(on) normalized to 15A/25 O C vs. I D
,   $ P SHUHV
Figure 5. Drain Current vs. Case Temperature
Figure 4. R DS(on) normalized to 15A/25 O C vs. T J
7   ' HJUHHV &
Figure 6. Admittance Curves
7   ' HJUHHV &
? 1997 IXYS All rights reserved
9
V
  9 ROW
相关PDF资料
PDF描述
IXFH9N80Q MOSFET N-CH 800V 9A TO-247
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IXFJ32N50Q MOSFET N-CH 500V 32A TO-220
IXFJ40N30 MOSFET N-CH 300V 40A TO-220
相关代理商/技术参数
参数描述
IXFH8N80S 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-247SMD
IXFH90N20Q 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFETTM Power MOSFETs Q-CLASS
IXFH94N30P3 功能描述:MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH94N30T 功能描述:MOSFET Trench HiperFETs Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH96N15P 功能描述:MOSFET 96 Amps 150V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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