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参数资料
| 型号： | IXFJ13N50 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 13A TO-220 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 400 毫欧 @ 6.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 2.5mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 120nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 180W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3（SMT）标片 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode
High dv/dt, Low t rr , HDMOS TM Family
Symbol
Test Conditions
IXFJ 13N50 V DSS
I D (cont)
R DS(on)
t rr
Maximum Ratings
= 500
= 13
= 0.4
￡ 250
V
A
W
ns
V DSS
T J = 25 ° C to 150 ° C
500
V
V DGR
V GS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M W
Continuous
Transient
500
± 20
± 30
V
V
V
G
D
S
é
(TAB)
I D25
I DM
I AR
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
13
52
13
A
A
A
G = Gate,
S = Source,
D = Drain,
TAB = Drain
E AR
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
Weight
T C = 25 ° C
I S ￡ I DM , di/dt ￡ 100 A/ m s, V DD ￡ V DSS ,
T J ￡ 150 ° C, R G = 2 W
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
18
5
180
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
5
mJ
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
g
Features
? Low profile, high power package
? Long creep and strike distances
? Easy up-grade path for TO-220
designs
? Low R DS (on) HDMOS TM process
? Rugged polysilicon gate cell structure
? Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
? Low package inductance
- easy to drive and to protect
? Fast intrinsic Rectifier
Applications
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
?
?
?
?
DC-DC converters
Synchronous rectification
Battery chargers
Switched-mode and resonant-mode
V DSS
V GS(th)
I GSS
V GS = 0 V, I D = 250 m A
V DS = V GS , I D = 2.5 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
500
2
4
± 100
V
V
nA
?
?
?
?
power supplies
DC choppers
AC motor control
Temperature and lighting controls
Low voltage relays
I DSS
V DS = 0.8 ? V DSS
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
200
1
m A
mA
Advantages
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 ? I D25
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
0.4
W
? High power, low profile package
? Space savings
? High power density
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
? 2000 IXYS All rights reserved
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFJ32N50Q | MOSFET N-CH 500V 32A TO-220 |
| IXFJ40N30 | MOSFET N-CH 300V 40A TO-220 |
| IXFK100N10 | MOSFET N-CH 100V 100A TO-264AA |
| IXFK100N25 | MOSFET N-CH 250V 100A TO-264AA |
| IXFK102N30P | MOSFET N-CH 300V 102A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFJ32N50Q | 功能描述:MOSFET 32 Amps 500V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFJ36N30 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET |
| IXFJ40N30 | 功能描述:MOSFET 40 Amps 300V 0.085 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK100N10 | 功能描述:MOSFET 100 Amps 100V 0.012 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK100N-10 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA 制造商:Ixys Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
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