- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录453 > IXFJ13N50 (IXYS)MOSFET N-CH 500V 13A TO-220 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFJ13N50 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 13A TO-220 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 400 毫欧 @ 6.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 2.5mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 120nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 180W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3（SMT）标片 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IXFJ 13N50
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ.
max.
TO-268 Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
V DS = 10 V; I D = 0.5 I D25 , pulse test
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
7.5
9.0
2800
300
70
18
30
S
pF
pF
pF
ns
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS ,
I D = 0.5 ? I D25 , R G = 4.7 W (External)
27
76
32
110
40
100
60
120
ns
ns
ns
nC
All metal area are
solder plated
1 - gate
2 - drain (collector)
3 - source (emitter)
4 - drain (collector)
Q gs
Q gd
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
15
40
25
50
nC
nC
Dim.
Inches
Min Max
Millimeters
Min Max
A
.193
.201
4.90
5.10
R thJC
R thCK
0.25
0.7
K/W
K/W
A1
b
b2
.106
.045
.075
.114
.057
.083
2.70
1.15
1.90
2.90
1.45
2.10
C
C2
.016
.057
.026
.063
.040
1.45
.065
1.60
D
.543 .551
13.80 14.00
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
D1
E
E1
e
.488 .500
.624 .632
.524 .535
.215 BSC
12.40 12.70
15.85 16.05
13.30 13.60
5.45 BSC
H
1.365
1.395 34.67 35.43
I S
V GS = 0 V
13
A
L
L1
.780
.079
.800
.091
19.81 20.32
2.00 2.30
L2
.039
.045
1.00 1.15
I SM
V SD
t rr
Repetitive; pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
52
1.5
250
350
A
V
ns
ns
Q RM
I RM
I F = I S
-di/dt = 100 A/ m s,
V R = 100 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
0.6
1.25
9
15
m C
m C
A
A
? 2000 IXYS All rights reserved
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
2-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFJ32N50Q | MOSFET N-CH 500V 32A TO-220 |
| IXFJ40N30 | MOSFET N-CH 300V 40A TO-220 |
| IXFK100N10 | MOSFET N-CH 100V 100A TO-264AA |
| IXFK100N25 | MOSFET N-CH 250V 100A TO-264AA |
| IXFK102N30P | MOSFET N-CH 300V 102A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFJ32N50Q | 功能描述:MOSFET 32 Amps 500V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFJ36N30 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET |
| IXFJ40N30 | 功能描述:MOSFET 40 Amps 300V 0.085 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK100N10 | 功能描述:MOSFET 100 Amps 100V 0.012 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK100N-10 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA 制造商:Ixys Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。