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参数资料
| 型号： | IXFK100N25 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 100A TO-264AA |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 27 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 300nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 560W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264AA |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
Power MOSFETs
IXFX 100N25
IXFK 100N25
V DSS
I D25
R DS(on)
= 250 V
= 100 A
= 27 m ?
Single MOSFET Die
t rr ≤ 250 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
PLUS 247 TM (IXFX)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
250
250
V
V
V GS
V GSM
Continuous
Transient
± 20
± 30
V
V
G
D
(TAB)
I D25
I D104
I DM
I AR
T C
T C
T C
T C
= 25 ° C (MOSFET chip capability)
= 104 ° C (External lead capability)
= 25 ° C, pulse width limited by T JM
= 25 ° C
100
75
400
100
A
A
A
A
TO-264 AA (IXFK)
E AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
64
3
5
mJ
J
V/ns
G = Gate
S = Source
G
D
S
D = Drain
TAB = Drain
(TAB)
P D
T C = 25 ° C
560
W
T J
-55 ... +150
° C
Features
T JM
T stg
T L
1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s
150
-55 ... +150
300
° C
° C
° C
l
l
l
l
International standard packages
Low R DS (on) HDMOS TM process
Rugged polysilicon gate cell structure
Unclamped Inductive Switching (UIS)
M d
Mounting torque
TO-264
0.9/6 Nm/lb.in.
rated
Weight
PLUS 247
TO-264
6
10
g
g
l
l
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Fast intrinsic rectifier
Applications
l
DC-DC converters
Symbol
V DSS
Test Conditions
V GS = 0 V, I D = 3mA
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
250 V
l
l
l
l
Battery chargers
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
DC choppers
AC motor control
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 8mA
2.0
4.0 V
l
Temperature and lighting controls
I GSS
V GS = ± 20 V, V DS = 0
± 200 n A
PLUS 247 TM package for clip or spring
Space savings
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Note 1
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
100 μ A
2 mA
27 m ?
Advantages
l
mounting
l
l
High power density
? 2001 IXYS All rights reserved
98613B (5/01)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK102N30P | MOSFET N-CH 300V 102A TO-264 |
| IXFK110N07 | MOSFET N-CH 70V 110A TO-264AA |
| IXFK120N20P | MOSFET N-CH 200V 120A TO-264 |
| IXFK120N20 | MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA |
| IXFK120N25 | MOSFET N-CH 250V 120A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK102N30P | 功能描述:MOSFET 102 Amps 300V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK105N07 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFK110N06 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFK110N07 | 功能描述:MOSFET 70V 110A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK110N20 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-264AA |
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