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参数资料
| 型号： | IXFK110N07 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 70V 110A TO-264AA |
| 产品目录绘图： | TO-264(AA) Package |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 70V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 55A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 480nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264AA |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
V DSS
I D25
R DS(on)
Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt, Low t rr
IXFK 110 N06
IXFK 105 N07
IXFK 110 N07
60 V 110 A
70 V 105 A
70 V 110 A
t rr ￡ 250 ns
6 m W
7 m W
6 m W
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-264 AA (IXFK)
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M W
Continuous
Transient
N07
N06
N07
N06
70
60
70
60
± 20
± 30
V
V
V
V
V
V
I D25
I D130
I DM
I AR
T C = 25 ° C, die capability
T C = 130 ° C, limited by external leads
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
110
76
600
100
A
A
A
A
G
D
S
(TAB)
E AR
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
30
2
mJ
J
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
I S ￡ I DM , di/dt ￡ 100 A/ m s, V DD ￡ V DSS ,
T J ￡ 150 ° C, R G = 2 W
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s
5
500
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
Features
? International standard packages
? JEDEC TO-264 AA, epoxy meet
UL 94 V-0, flammability classification
? Low R DS (on) HDMOS TM process
? Rugged polysilicon gate cell structure
? Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
? Low package inductance
M d
Weight
Mounting torque
Terminal connection torque
0.9/6
-
10
Nm/lb.in.
Nm/lb.in.
g
? Fast intrinsic Rectifier
Applications
?
DC-DC converters
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ.
max.
?
?
?
Synchronous rectification
Battery chargers
Switched-mode and resonant-mode
V DSS
V GS (th)
I GSS
I DSS
V GS
V DS
V GS
V DS
V GS
= 0 V, I D = 1 mA
= V GS , I D = 8 mA
= ± 20 V DC , V DS = 0
= 0.8 ? V DSS
=0V
N06
N07
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
60
70
2
4
± 200
400
2
V
V
V
nA
m A
mA
power supplies
? DC choppers
? Temperature and lighting controls
? Low voltage relays
Advantages
R DS(on)
V GS
Note 2
= 10 V, I D = 0.5 ? I D25
110N06/110N07
105N07
6 m W
7 m W
? Easy to mount
? Space savings
? High power density
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
? 2000 IXYS All rights reserved
92802I (10/97)
1-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK120N20P | MOSFET N-CH 200V 120A TO-264 |
| IXFK120N20 | MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA |
| IXFK120N25 | MOSFET N-CH 250V 120A TO-264 |
| IXFK140N20P | MOSFET N-CH 200V 140A TO-264 |
| IXFK140N30P | MOSFET N-CH 300V 140A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK110N20 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-264AA |
| IXFK120N20 | 功能描述:MOSFET 200V 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK120N20P | 功能描述:MOSFET 120 Amps 200V 0.022 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK120N25 | 功能描述:MOSFET 120 Amps 250V 0.022 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK120N25P | 功能描述:MOSFET 120 Amps 250V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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