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参数资料
| 型号： | IXFK110N07 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 70V 110A TO-264AA |
| 产品目录绘图： | TO-264(AA) Package |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 70V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 55A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 480nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264AA |
| 包装： | 管件 |
IXFK 110N06 IXFK 105N07 IXFK 110N07
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ.
max.
TO-264 AA Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
V DS = 10 V; I D = 0.5 ? I D25 , Note 2
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
R G = 1 W (External),
60
80
9000
4000
2400
30
60
100
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
t f
60
ns
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
Q g(on)
480
nC
A
A1
4.82
2.54
5.13
2.89
.190 .202
.100 .114
Q gs
Q gd
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
60
240
nC
nC
A2
b
b1
b2
2.00
1.12
2.39
2.90
2.10
1.42
2.69
3.09
.079 .083
.044 .056
.094 .106
.114 .122
c
0.53
0.83
.021 .033
R thJC
R thCK
TO-264 AA
TO-264 AA
0.15
0.25
K/W
K/W
D
E
e
J
25.91
19.81
5.46
0.00
26.16
19.96
BSC
0.25
1.020 1.030
.780 .786
.215 BSC
.000 .010
K
L
L1
P
Q
Q1
R
0.00
20.32
2.29
3.17
6.07
8.38
3.81
0.25
20.83
2.59
3.66
6.27
8.69
4.32
.000 .010
.800 .820
.090 .102
.125 .144
.239 .247
.330 .342
.150 .170
Source-Drain Diode
Symbol
Test Conditions
V GS = 0 V
I S
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ.
max.
110N06/110N07
110
A
R1
S
T
1.78
6.04
1.57
2.29
6.30
1.83
.070 .090
.238 .248
.062 .072
105N07
105
A
I SM
V SD
t rr
Q RM
I RM
Repetitive; pulse width limited by T JM 110N06/110N07
105N07
I F = 100 A, V GS = 0 V, Note 2
I F = 25 A
-di/dt = 100 A/ m s,
V R = 50 V
150
440
420
1.7
250
0.7
9
A
A
V
ns
m C
A
Note: 1. Pulse width limited by T JM
2. Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
? 2000 IXYS All rights reserved
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
2-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK120N20P | MOSFET N-CH 200V 120A TO-264 |
| IXFK120N20 | MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA |
| IXFK120N25 | MOSFET N-CH 250V 120A TO-264 |
| IXFK140N20P | MOSFET N-CH 200V 140A TO-264 |
| IXFK140N30P | MOSFET N-CH 300V 140A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK110N20 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-264AA |
| IXFK120N20 | 功能描述:MOSFET 200V 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK120N20P | 功能描述:MOSFET 120 Amps 200V 0.022 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK120N25 | 功能描述:MOSFET 120 Amps 250V 0.022 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK120N25P | 功能描述:MOSFET 120 Amps 250V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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