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参数资料
| 型号： | IXFK110N07 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 70V 110A TO-264AA |
| 产品目录绘图： | TO-264(AA) Package |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 70V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 55A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 480nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264AA |
| 包装： | 管件 |
IXFK 110N06 IXFK 105N07 IXFK 110N07
175
150
T J = 25 O C
V GS =10V
9V
8V
600
500
T J =25 O C
V GS =10V
9V
8V
125
100
75
7V
6V
5V
400
300
7V
50
25
200
100
6V
5V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V DS - Volts
Figure 1. Output Characteristics at 25 O C
600
V DS - Volts
Figure 2. Extended Output Characteristics
80
500
400
V DS > 4R DS(ON)
T J =150 O C
70
60
V GS =10V
T J = 25 o C
T J = 100 o C
T J =25 O C
50
300
200
T J =100 O C
40
30
T J = 150 o C
20
100
10
0
2
4
6
8
10
12
0
0
100
200
300
400
500
600
1.4
V GS - Volts
Figure 3. Admittance Curves
I C - Amperes
Figure 4. Transconductance vs. Drain Current
2.25
1.3
1.2
T J = 25 o C
2.00
1.75
I D = 75A
V GS = 10V
1.50
1.1
V GS = 10V
1.25
1.0
0.9
V GS = 15V
1.00
0.75
0.8
0
100
200
300
400
500
600
0.50
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175
I D - Amperes
Figure 5. R DS(on) normalized to 0.5 I D25 value
? 2000 IXYS All rights reserved
T J - Degrees C
Figure 6. Normalized R DS(on) vs. Junction
Temperature
3-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| IXFK120N25 | 功能描述:MOSFET 120 Amps 250V 0.022 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK120N25P | 功能描述:MOSFET 120 Amps 250V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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