- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录453 > IXFK140N30P (IXYS)MOSFET N-CH 300V 140A TO-264 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFK140N30P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 300V 140A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 140A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 70A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 185nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 14800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1040W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
Polar TM Power MOSFET
HiPerFET TM
IXFK140N30P
IXFX140N30P
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
=
=
≤
≤
300V
140A
24m Ω
200ns
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Fast Intrisic Diode
TO-264 (IXFK)
Symbol
V DSS
V DGR
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Maximum Ratings
300
300
V
V
G
D
S
(TAB)
V GSS
V GSM
I D25
I LRMS
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
Lead Current Limit, RMS
± 20
± 30
140
75
V
V
A
A
PLUS247 (IXFX)
I DM
I A
E AS
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
300
70
5
A
A
J
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
(TAB)
dV/dt
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
20
V/ns
P D
T C = 25 ° C
1040
W
Features
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
1.6mm (0.062 in.) from case for 10s
Plastic body for 10s
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
° C
° C
° C
° C
° C
?
?
?
?
Fast intrinsic diode
Avalanche Rated
Low R DS(ON) and Q G
Low package inductance
M d
Weight
Mounting force
Mounting torque
PLUS247
TO-264
(PLUS247)
(TO-264)
20..120/4.5..27
1.13/10
6
10
N/lb.
Nm/lb.in.
g
g
Advantages
Easy to mount
Space savings
High power density
Applications
? DC-DC coverters
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
? Battery chargers
? Switched-mode and resonant-mode
BV DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = 0V, I D = 3mA
V DS = V GS , I D = 8mA
V GS = ± 20V, V DS = 0V
V DS = V DSS
V GS = 0V
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
T J = 125 ° C
300
3.0
20
V
5.0 V
± 200 nA
25 μ A
1 mA
24 m Ω
power supplies
? DC choppers
? AC and DC motor control
? Uninterrupted power supplies
? High speed power switching
applications
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99557F(5/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK150N15P | MOSFET N-CH 150V 150A TO-264 |
| IXFK150N15 | MOSFET N-CH 150V 150A TO-264 |
| IXFK170N10P | MOSFET N-CH 100V 170A TO-264 |
| IXFK170N10 | MOSFET N-CH 100V 170A TO-264AA |
| IXFK180N085 | MOSFET N-CH 85V 180A TO-264AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK150N10 | 功能描述:MOSFET 150 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK150N15 | 功能描述:MOSFET 150 Amps 150V 0.0125 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK150N15P | 功能描述:MOSFET 170 Amps 150V 0.013 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK150N30P3 | 功能描述:MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK15N100Q | 功能描述:MOSFET 15 Amps 1000V 0.725 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。