参数资料
型号: IXFK140N30P
厂商: IXYS
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描述: MOSFET N-CH 300V 140A TO-264
标准包装: 25
系列: Polar™ HiPerFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 300V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 140A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 24 毫欧 @ 70A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 8mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 185nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 14800pF @ 25V
功率 - 最大: 1040W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA
供应商设备封装: TO-264
包装: 管件
IXFK140N30P
IXFX140N30P
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Impedance
1.000
0.100
0.010
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
IXYS REF: F_140N30P(93)5-13-08-B
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PDF描述
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参数描述
IXFK150N10 功能描述:MOSFET 150 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK150N15 功能描述:MOSFET 150 Amps 150V 0.0125 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK150N15P 功能描述:MOSFET 170 Amps 150V 0.013 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK150N30P3 功能描述:MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK15N100Q 功能描述:MOSFET 15 Amps 1000V 0.725 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube