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参数资料
| 型号： | IXFK100N25 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 100A TO-264AA |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 27 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 300nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 560W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264AA |
| 包装： | 管件 |
IXFK 100N25
IXFX 100N25
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
PLUS 247 TM Outline
g fs
V DS = 10 V; I D = 0.5 I D25
Note 1
40
70
S
C iss
9100
pF
C oss
C rss
t d(on)
t r
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
1800
600
42
55
pF
pF
ns
ns
t d(off)
t f
R G = 1 ? (External),
110
40
ns
ns
Terminals:
1 - Gate
2 - Drain (Collector)
3 - Source (Emitter)
4 - Drain (Collector)
Q g(on)
300
nC
Dim.
Millimeter
Inches
Q gs
Q gd
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
57
160
nC
nC
A
A 1
Min. Max.
4.83 5.21
2.29 2.54
Min. Max.
.190 .205
.090 .100
A 2
1.91 2.16
.075 .085
R thJC
R thCK
0.15
0.22
K/W
K/W
b
b 1
b 2
1.14 1.40
1.91 2.13
2.92 3.12
.045 .055
.075 .084
.115 .123
C
D
E
0.61 0.80
20.80 21.34
15.75 16.13
.024 .031
.819 .840
.620 .635
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
e
L
L1
Q
R
5.45 BSC
19.81 20.32
3.81 4.32
5.59 6.20
4.32 4.83
.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 0.244
.170 .190
I S
I SM
V GS = 0 V
Repetitive;
100
400
A
A
TO-264 AA Outline
pulse width limited by T JM
V SD
t rr
Q RM
I RM
I F = I S , V GS = 0 V, Note 1
I F = 50A,-di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V
1.4
10
1.5
250
V
ns
μ C
A
Note: 1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
Dim.
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
Millimeter
Min. Max.
4.82 5.13
2.54 2.89
2.00 2.10
1.12 1.42
2.39 2.69
2.90 3.09
0.53 0.83
25.91 26.16
19.81 19.96
5.46 BSC
0.00 0.25
0.00 0.25
20.32 20.83
2.29 2.59
3.17 3.66
6.07 6.27
8.38 8.69
3.81 4.32
1.78 2.29
6.04 6.30
1.57 1.83
Inches
Min. Max.
.190 .202
.100 .114
.079 .083
.044 .056
.094 .106
.114 .122
.021 .033
1.020 1.030
.780 .786
.215 BSC
.000 .010
.000 .010
.800 .820
.090 .102
.125 .144
.239 .247
.330 .342
.150 .170
.070 .090
.238 .248
.062 .072
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK102N30P | MOSFET N-CH 300V 102A TO-264 |
| IXFK110N07 | MOSFET N-CH 70V 110A TO-264AA |
| IXFK120N20P | MOSFET N-CH 200V 120A TO-264 |
| IXFK120N20 | MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA |
| IXFK120N25 | MOSFET N-CH 250V 120A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK102N30P | 功能描述:MOSFET 102 Amps 300V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK105N07 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFK110N06 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFK110N07 | 功能描述:MOSFET 70V 110A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK110N20 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-264AA |
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