- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录453 > IXFJ13N50 (IXYS)MOSFET N-CH 500V 13A TO-220 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFJ13N50 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 13A TO-220 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 400 毫欧 @ 6.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 2.5mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 120nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 180W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3（SMT）标片 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IXFJ 13N50
25
T J = 25 ° C
V GS =10V
8V
7V
25
20
15
10
5
0
6V
5V
20
15
10
5
0
T J = 25°C
0
5
10
15
20
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1.4
V DS - Volts
Figure 1. Output Characteristics at 25 O C
2.50
V GS - Volts
Figure 2. Output Characteristics at
125 O C
1.3
1.2
1.1
1.0
T J = 25 ° C
V GS = 10V
V GS = 15V
2.25
2.00
1.75
1.50
1.25
I D = 6A
1.00
0.9
0.8
0.75
0.50
0
5
10
15
20
25
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
15.0
I D - Amperes
Figure 3. R DS(on) normalized to 0.5 I D25
value
1.2
T J - Degrees C
Figure 4. R DS(on) normalized to 0.5 I D25
value
12.5
13N50
1.1
V GS(th)
BV DSS
10.0
1.0
0.9
7.5
0.8
5.0
2.5
0.0
0.7
0.6
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T C - Degrees C
Figure 5. Drain Current vs. Case Temperature
? 2000 IXYS All rights reserved
T J - Degrees C
Figure 6. Admittance Curves
3-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFJ32N50Q | MOSFET N-CH 500V 32A TO-220 |
| IXFJ40N30 | MOSFET N-CH 300V 40A TO-220 |
| IXFK100N10 | MOSFET N-CH 100V 100A TO-264AA |
| IXFK100N25 | MOSFET N-CH 250V 100A TO-264AA |
| IXFK102N30P | MOSFET N-CH 300V 102A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFJ32N50Q | 功能描述:MOSFET 32 Amps 500V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFJ36N30 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET |
| IXFJ40N30 | 功能描述:MOSFET 40 Amps 300V 0.085 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK100N10 | 功能描述:MOSFET 100 Amps 100V 0.012 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK100N-10 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA 制造商:Ixys Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。