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参数资料
| 型号： | IXFI7N80P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 7A TO-263 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.44 欧姆 @ 3.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 32nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1890pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 管件 |
PolarHV TM HiPerFET
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXFA 7N80P
IXFI 7N80P
IXFP 7N80P
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
= 800
= 7
≤ 1.44
≤ 250
V
A
Ω
ns
Fast Intrinsic Diode
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-263 (IXFA)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C; R GS = 1 M Ω
800
800
V
V
G
S
V GS
V GSM
I D25
I DM
I AR
E AR
E AS
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
± 30
± 40
7
18
4
20
300
V
V
A
A
A
mJ
mJ
Leaded TO-263 (IXFI)
(TAB)
dv/dt
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 10 Ω
10
V/ns
G
D
S
(TAB)
P D
T C = 25 ° C
200
W
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
TO-220 (IXFP)
T L
T SOLD
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
300
260
° C
° C
G
D S
(TAB)
M d
Mounting torque (TO-220, TO-3P)
1.13/10 Nm/lb.in.
Weight
TO-220
TO-263
3
2.5
g
g
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
Features
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
International standard packages
Unclamped Inductive Switching (UIS)
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
800
V
rated
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V DS = V GS , I D = 1 mA
V GS = ± 30 V, V DS = 0 V
V DS = V DSS
V GS = 0 V T J = 125 ° C
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
3.0
5.0
± 100
25
500
1.44
V
nA
μ A
μ A
Ω
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Advantages
Easy to mount
Space savings
High power density
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99597E(08/06)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFJ13N50 | MOSFET N-CH 500V 13A TO-220 |
| IXFJ32N50Q | MOSFET N-CH 500V 32A TO-220 |
| IXFJ40N30 | MOSFET N-CH 300V 40A TO-220 |
| IXFK100N10 | MOSFET N-CH 100V 100A TO-264AA |
| IXFK100N25 | MOSFET N-CH 250V 100A TO-264AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFJ13N50 | 功能描述:MOSFET 13 Amps 500V 0.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFJ32N50Q | 功能描述:MOSFET 32 Amps 500V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFJ36N30 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET |
| IXFJ40N30 | 功能描述:MOSFET 40 Amps 300V 0.085 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK100N10 | 功能描述:MOSFET 100 Amps 100V 0.012 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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