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参数资料
| 型号： | IXFH8N80 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 8A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.1 欧姆 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 2.5mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 180W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXFH8N80
IXFH9N80
TO-247 AD (IXFH) Outline
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
V DS = 10 V; I D = 0.5 ? I D25 , pulse test
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
R G = 4.7 ? (External)
4
7
2600
240
60
35
15
70
35
85 130
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
Q gs
Q gd
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
15
40
30
70
nC
nC
R thJC
R thCK
0.25
0.7
K/W
K/W
TO-247 SMD Outline
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
I S
I SM
V SD
V GS = 0
Repetitive; pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle δ ≤ 2 %
8N80
9N80
8N80
9N80
8
9
32
36
1.5
A
A
A
A
V
t rr
Q RM
I RM
I F = I S
-di/dt = 100 A/ μ s,
V R = 100 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
0.5
1.0
7.5
9.0
250
400
ns
ns
μ C
μ C
A
A
1. Gate
2. Drain
Dim.
A
A1
A2
b
b1
Millimeter Inches
Min. Max. Min. Max.
4.83 5.21 .190 .205
2.29 2.54 .090 .100
1.91 2.16 .075 .085
1.14 1.40 .045 .055
1.91 2.13 .075 .084
3. Source
4. Drain
C
D
E
e
L
L1
L2
L3
L4
?P
Q
0.61
20.80
15.75
5.45
4.90
2.70
2.10
0.00
1.90
3.55
5.59
0.80
21.34
16.13
BSC
5.10
2.90
2.30
0.10
2.10
3.65
6.20
.024
.819
.620
.215
.193
.106
.083
.00
.075
.140
.220
.031
.840
.635
BSC
.201
.114
.091
.004
.083
.144
.244
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
R
S
4.32
6.15
4.83
BSC
.170
.242
.190
BSC
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH9N80Q | MOSFET N-CH 800V 9A TO-247 |
| IXFI7N80P | MOSFET N-CH 800V 7A TO-263 |
| IXFJ13N50 | MOSFET N-CH 500V 13A TO-220 |
| IXFJ32N50Q | MOSFET N-CH 500V 32A TO-220 |
| IXFJ40N30 | MOSFET N-CH 300V 40A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH8N80S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-247SMD |
| IXFH90N20Q | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFETTM Power MOSFETs Q-CLASS |
| IXFH94N30P3 | 功能描述:MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH94N30T | 功能描述:MOSFET Trench HiperFETs Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH96N15P | 功能描述:MOSFET 96 Amps 150V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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