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参数资料
| 型号： | IXFH7N80 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 7A TO-247AD |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.4 欧姆 @ 3.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 2.5mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 180W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
IXFH 7N80
IXFM 7N80
Fig. 1 Output Characteristics
Fig. 2 Input Admittance
9
8
T J = 25°C
V GS = 10V
6V
9
8
T J = 25° C
7
6
5
4
3
7
6
5
4
3
2
1
0
5V
2
1
0
0
5
10
15
20
25
30
3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 6.5 7.0 7.5
3.0
V DS - Volts
Fig. 3 R DS(on) vs. Drain Current
2.50
V GS - Volts
Fig. 4 Temperature Dependence
of Drain to Source Resistance
2.8
2.6
T J = 25 °C
2.25
2.00
1.75
2.4
1.50
I D = 3.5A
2.2
V GS = 10V
1.25
2.0
1.8
V GS = 15V
1.00
0.75
0.50
0
2
4
6
8
10
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
8
I D - Amperes
Fig. 5 Drain Current vs.
Case Temperature
1.2
T J - Degrees C
Fig. 6 Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold Voltage
7
6
5
7N80
1.1
1.0
0.9
V GS(th)
BV DSS
4
3
2
1
0
0.8
0.7
0.6
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
T C - Degrees C
? 2000 IXYS All rights reserved
T J - Degrees C
3-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH7N90Q | MOSFET N-CH 900V 7A TO-247 |
| IXFH80N08 | MOSFET N-CH 80V 80A TO-247 |
| IXFH80N10 | MOSFET N-CH 100V 80A TO-247 |
| IXFH8N80 | MOSFET N-CH 800V 8A TO-247 |
| IXFH9N80Q | MOSFET N-CH 800V 9A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH7N90 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH7N90Q | 功能描述:MOSFET 7 Amps 900V 1.5W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH7N90Q_02 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
| IXFH80N06 | 功能描述:MOSFET Legacy HiPer 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH80N08 | 功能描述:MOSFET 80 Amps 80V 0.009 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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