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参数资料
| 型号： | IXFH96N15P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 96A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHT™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 96A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 110nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 480W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXFH 96N15P
IXFV 96N15P IXFV 96N15PS
100
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 o C
200
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 o C
90
80
70
60
50
V GS = 10V
9V
8V
175
150
125
100
V GS = 10V
9V
40
30
20
10
0
7V
6V
75
50
25
0
8V
7V
6V
0
0.5
1 1.5
V D S - Volts
2
2.5
0
2
4
6
8 10 12
V D S - Volts
14
16
18
20
100
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150 o C
2.8
Fig. 4. R DS(on ) Norm alized to 0.5 I D25
Value vs. Junction Tem perature
90
80
70
V GS = 10V
9V
2.6
2.4
2.2
V GS = 10V
60
50
40
30
20
10
8V
7V
6V
5V
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
I D = 96A
I D = 48A
0
0.6
0
0.5
1
1.5
2 2.5 3 3.5
V D S - Volts
4
4.5
5
5.5
-50
-25
0
25 50 75 100 125
T J - Degrees Centigrade
150
175
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to
Fig. 6. Drain Current vs. Case
3.8
3.4
0.5 I D25 Value vs. I D
80
70
Tem perature
External Lead Current
Limit
3
2.6
2.2
1.8
T J = 175oC
V GS = 10V
60
50
40
30
1.4
1
0.6
V GS = 15V
T J = 25oC
20
10
0
0
50
100 150
I D - Amperes
200
250
-50
-25
0 25 50 75 100 125
T C - Degrees Centigrade
150
175
? 2006 IXYS All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXO-PC738-669.3265 | OSC 669.3265 MHZ 3.3V PECL SMD |
| D7C0605N | SWITCH ROTARY 6P-5POS OPEN FRAME |
| FVXO-PC73B-307.2 | OSC 307.2 MHZ 3.3V PECL SMD |
| D8G0417N | SWITCH ROTARY 4P-17POS OPEN FRM |
| D4C0412N | SWITCH ROTARY 4P-12POS OPEN FRM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH96N20P | 功能描述:MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH9N100 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH9N65 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH9N80 | 功能描述:MOSFET 9 Amps 800V 0.9 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH9N80Q | 功能描述:MOSFET 9 Amps 800V 1.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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