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参数资料
| 型号： | IXFH96N15P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 96A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHT™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 96A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 110nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 480W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXFH 96N15P
IXFV 96N15P IXFV 96N15PS
180
Fig. 7. Input Adm ittance
Fig. 8. Transconductance
160
140
120
100
80
60
50
40
30
T J = -40oC
25oC
150oC
60
40
20
0
T J = 150oC
25oC
-40oC
20
10
0
4
5
6
7
8
9
10
0
25
50
75
100
125
150
175
200
300
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 75V
250
200
150
100
8
7
6
5
4
3
I D = 48A
I G = 10mA
50
T J = 150oC
2
0
T J = 25oC
1
0
0.4
0.6
0.8
1 1.2
V S D - Volts
1.4
1.6
1.8
0
10
20
30 40 50 60 70 80
Q G - nanoCoulombs
90 100 110
10000
Fig. 11. Capacitance
1000
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Operating Area
f = 1MHz
R DS(on) Limit
1000
C iss
100
25μs
100μs
1ms
C oss
10
DC
10ms
T J = 175oC
100
C rss
1
T C = 25oC
0
5
10
15 20 25
V DS - Volts
30
35
40
1
10
V D S - Volts
100
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXO-PC738-669.3265 | OSC 669.3265 MHZ 3.3V PECL SMD |
| D7C0605N | SWITCH ROTARY 6P-5POS OPEN FRAME |
| FVXO-PC73B-307.2 | OSC 307.2 MHZ 3.3V PECL SMD |
| D8G0417N | SWITCH ROTARY 4P-17POS OPEN FRM |
| D4C0412N | SWITCH ROTARY 4P-12POS OPEN FRM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH96N20P | 功能描述:MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH9N100 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH9N65 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH9N80 | 功能描述:MOSFET 9 Amps 800V 0.9 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH9N80Q | 功能描述:MOSFET 9 Amps 800V 1.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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