参数资料
型号: IXFH96N15P
厂商: IXYS
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描述: MOSFET N-CH 150V 96A TO-247
标准包装: 30
系列: PolarHT™ HiPerFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 96A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 24 毫欧 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3500pF @ 25V
功率 - 最大: 480W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: TO-247
包装: 管件
IXFH 96N15P
IXFV 96N15P IXFV 96N15PS
Fig . 1 3 . M a x im u m T r a n s ie n t T h e r m a l Re s is t a n c e
1.00
0.10
0.01
1
10
100
1000
Pu ls e W id th - m illis e c o n d s
? 2006 IXYS All rights reserved
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PDF描述
FXO-PC738-669.3265 OSC 669.3265 MHZ 3.3V PECL SMD
D7C0605N SWITCH ROTARY 6P-5POS OPEN FRAME
FVXO-PC73B-307.2 OSC 307.2 MHZ 3.3V PECL SMD
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D4C0412N SWITCH ROTARY 4P-12POS OPEN FRM
相关代理商/技术参数
参数描述
IXFH96N20P 功能描述:MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH9N100 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs
IXFH9N65 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs
IXFH9N80 功能描述:MOSFET 9 Amps 800V 0.9 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH9N80Q 功能描述:MOSFET 9 Amps 800V 1.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube