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参数资料
| 型号： | IXFK140N20P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 140A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | PolarHT™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 140A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 70A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 240nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 830W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 散装 |
IXFK 140N20P
140
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 o C
300
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 o C
120
V GS = 10V
9V
270
V GS = 10V
9V
100
8V
240
210
80
180
8V
60
7V
150
120
40
20
0
6V
5V
90
60
30
0
7V
6V
0
0.5
1 1.5
V D S - Volts
2
2.5
0
1
2
3
4 5 6
V D S - Volts
7
8
9
10
140
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150 o C
Fig. 4. R DS(on ) Norm alized to 0.5 I D25
Value vs. Junction Tem perature
120
100
80
60
V GS = 10V
9V
8V
7V
3
2.5
2
V GS = 10V
I D = 140A
I D = 70A
1.5
40
6V
20
0
5V
1
0.5
0
1
2
3
V D S - Volts
4
5
6
-50
-25
0
25 50 75 100 125
T J - Degrees Centigrade
150
175
4
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to 0.5 I D25
Value vs. Drain Current
90
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Tem perature
3.5
T J = 175 o C
80
External Lead Current Limit
70
3
60
2.5
2
V GS = 15V
V GS = 10V
50
40
30
1.5
20
1
0.5
T J = 25 o C
10
0
0
50
100 150 200
I D - Amperes
250
300
-50
-25
0 25 50 75 100 125
T C - Degrees Centigrade
150
175
? 2006 IXYS All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK140N30P | MOSFET N-CH 300V 140A TO-264 |
| IXFK150N15P | MOSFET N-CH 150V 150A TO-264 |
| IXFK150N15 | MOSFET N-CH 150V 150A TO-264 |
| IXFK170N10P | MOSFET N-CH 100V 170A TO-264 |
| IXFK170N10 | MOSFET N-CH 100V 170A TO-264AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK140N25T | 功能描述:MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 250V 140A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK140N30P | 功能描述:MOSFET 140 Amps 300V 0.024 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK150N10 | 功能描述:MOSFET 150 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK150N15 | 功能描述:MOSFET 150 Amps 150V 0.0125 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK150N15P | 功能描述:MOSFET 170 Amps 150V 0.013 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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