- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录453 > IXFK240N15T2 (IXYS)MOSFET N-CH 150V 240A TO264 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFK240N15T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 240A TO264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | GigaMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 240A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.2 毫欧 @ 60A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 460nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 32000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1250W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
IXFK240N15T2
IXFX240N15T2
240
Fig. 1. Output Characteristics
@ T J = 25oC
400
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ T J = 25oC
200
160
120
80
V GS = 15V
10V
8V
7V
6V
5.5V
350
300
250
200
150
V GS = 10V
8V
7V
6V
5.5V
100
40
0
5V
50
0
5V
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
240
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ T J = 150oC
3.0
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 120A Value
vs. Junction Temperature
200
V GS = 15V
10V
8V
7V
2.6
V GS = 10V
160
6V
2.2
1.8
I D = 240A
I D = 120A
120
1.4
80
5V
1.0
40
0
4V
0.6
0.2
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
3.4
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 120A Value
vs. Drain Current
180
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
3.0
2.6
2.2
1.8
V GS = 10V
T J = 175oC
160
140
120
100
80
External Lead Current Limit
60
1.4
1.0
0.6
T J = 25oC
40
20
0
0
40
80
120
160
200
240
280
320
360
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK24N100Q3 | MOSFET N-CH 1000V 24A TO-264 |
| IXFK24N90Q | MOSFET N-CH 900V 24A TO-264 |
| IXFK250N10P | MOSFET N-CH TO-264 |
| IXFK26N100P | MOSFET N-CH 1000V 26A TO-264 |
| IXFK26N60Q | MOSFET N-CH 600V 26A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK24N100 | 功能描述:MOSFET 1KV 24A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK24N100_07 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFETTM Power MOSFETs |
| IXFK24N100_08 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFK24N100F | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK24N100Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/24A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。