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参数资料
| 型号： | IXFK26N60Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 26A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 26A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 250 毫欧 @ 13A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 200nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264AA |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
Power MOSFETs
Q-Class
IXFK 26N60Q
IXFX 26N60Q
V DSS
I D25
R DS(on)
= 600 V
= 26 A
= 0.25 ?
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt, Low Q g
Preliminary Data
t rr ≤ 250 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
PLUS 247 TM (IXFX)
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
Transient
600
600
± 20
± 30
V
V
V
V
I D25
I DM
I AR
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
26
104
26
A
A
A
G
D
D (TAB)
E AR
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
45
1.5
mJ
J
dv/dt
P D
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
T C = 25 ° C
5
360
V/ns
W
TO-264 AA (IXFK)
T J
T JM
T stg
T L
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
° C
° C
° C
° C
G
D
S
D (TAB)
M d
Weight
Mounting torque
TO-264
PLUS-247
0.9/6 Nm/lb.in.
6
g
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
TO-264
10
g
Features
Low gate charge
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
International standard packages
Epoxy meet UL 94 V-0, flammability
classification
Low R DS (on) HDMOS TM process
V DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS T J = 25 ° C
V GS = 0 V T J = 125 ° C
V GS = 10 V, I D = 0.5 ? I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
600
2.5
4.5
± 200
25
1
0.25
V
V
nA
μ A
mA
?
Rugged polysilicon gate cell structure
Avalanche energy and current rated
Fast intrinsic Rectifier
Advantages
Easy to mount
Space savings
High power density
? 2002 IXYS All rights reserved
DS98919A(12/02)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK27N80Q | MOSFET N-CH 800V 27A TO-264 |
| IXFK27N80 | MOSFET N-CH 800V 27A TO-264AA |
| IXFK30N110P | MOSFET N-CH 1100V 30A TO-264 |
| IXFK320N17T2 | MOSFET N-CH 170V 320A TO264 |
| IXFK32N100P | MOSFET N-CH 1000V 32A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK26N90 | 功能描述:MOSFET 26 Amps 900V 0.3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK27N80 | 功能描述:MOSFET 800V 27A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK27N80Q | 功能描述:MOSFET 27 Amps 800V 0.32 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK27N80Q_02 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS |
| IXFK28N60 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
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