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参数资料
| 型号： | IXFK30N110P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1100V 30A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1100V（1.1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 360 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 235nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 13600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 960W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
OBSOLETE
Polar TM HiPerFET TM
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
Symbol
Test Conditions
IXFK30N110P
IXFX30N110P
Maximum Ratings
V DSS =
I D25 =
R DS(on) ≤
t rr ≤
TO-264 (IXFK)
1100V
30A
360m Ω
300ns
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
I D25
I DM
I AR
E AS
dV/dt
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
1100
1100
± 30
± 40
30
75
15
1.5
15
V
V
V
V
A
A
A
J
V/ns
G
D
S
PLUS247 (IXFX)
(TAB)
(TAB)
P D
T J
T JM
T stg
T C = 25 ° C
960
-55 ... +150
150
-55 ... +150
W
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
Features
D = Drain
TAB = Drain
T L
T SOLD
M d
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10s
Plastic body for 10s
Mounting torque (IXFK)
300
260
1.13/10
° C
° C
Nm/lb.in.
Fast intrinsic diode
International standard packages
Unclamped Inductive Switching (UIS)
F C
Weight
Mounting force
(IXFK)
(IXFX)
(IXFX)
20..120 /4.5..27
10
6
N/lb
g
g
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Advantages
Easy to mount
Space savings
High power density
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
BV DSS V GS = 0V, I D = 3mA
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
1100
V
Applications:
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V DS = V GS , I D = 1mA
V GS = ± 30V, V DS = 0V
V DS = V DSS
V GS = 0V T J = 125 ° C
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
3.5
6.5
± 200
50
2.5
360
V
nA
μ A
mA
m Ω
High Voltage Switched-mode and
resonant-mode power supplies
High Voltage Pulse Power Applications
High Voltage Discharge circuits in
Lasers Pulsers, Spark Igniters, RF
Generators
High Voltage DC-DC converters
High Voltage DC-AC inverters
? 2011 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99855OBS(05/11)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK320N17T2 | MOSFET N-CH 170V 320A TO264 |
| IXFK32N100P | MOSFET N-CH 1000V 32A TO-264 |
| IXFK32N50Q | MOSFET N-CH 500V 32A TO-264 |
| IXFK32N80P | MOSFET N-CH 800V 32A TO-264 |
| IXFK32N90P | MOSFET N-CH 900V 32A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK30N50Q | 功能描述:MOSFET 30 Amps 500V 0.16 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK320N17T2 | 功能描述:功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXFK32N100P | 功能描述:MOSFET 32 Amps 1000V 0.32 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK32N100Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/32A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK32N50Q | 功能描述:MOSFET 32 Amps 500V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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