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参数资料
| 型号： | IXFK32N80P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 32A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 32A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 270 毫欧 @ 16A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 150nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 830W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
PolarHV TM HiPerFET
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXFK 32N80P
IXFX 32N80P
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
= 800 V
= 32 A
≤ 270 m ?
≤ 250 ns
Fast Intrinsic Diode
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-264 (IXFK)
V DSS
V DGR
V GSS
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
800
800
± 30
V
V
V
V GSM
I D25
Transient
T C = 25 ° C
± 40
32
V
A
G
D
S
I DM
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
70
A
I AR
E AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
16
50
2.0
10
A
mJ
J
V/ns
PLUS247 (IXFX)
(TAB)
T J ≤ 150 ° C, R G = 4 ?
P D
T C = 25 ° C
830
W
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
(TAB)
T L
T SOLD
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
300
260
° C
° C
G = Gate
S = Source
D = Drain
Tab = Drain
M d
Mounting torque (TO-264)
1.13/10 Nm/lb.in.
Weight
TO-264
10
g
PLUS247
6
g
Features
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
l
l
l
International standard packages
Fast recovery diode
Unclamped Inductive Switching (UIS)
BV DSS
V GS(th)
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = 8 mA
800
3.0
5.0
V
V
l
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
I GSS
V GS = ± 30 V DC , V DS = 0
± 200
nA
Easy to mount
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
25
1000
μ A
μ A
Advantages
l
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
270
m ?
l
l
Space savings
High power density
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99425E(01/06)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK32N90P | MOSFET N-CH 900V 32A TO-264 |
| IXFK34N80 | MOSFET N-CH 800V 34A TO-264AA |
| IXFK360N15T2 | MOSFET N-CH 150V 360A TO264 |
| IXFK36N60P | MOSFET N-CH 600V 36A TO-264 |
| IXFK36N60 | MOSFET N-CH 600V 36A TO-264AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK32N80Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/32A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK32N90P | 功能描述:MOSFET Polar HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK33N50 | 功能描述:MOSFET 33 Amps 500V 0.16 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK33N50S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-264VAR |
| IXFK34N80 | 功能描述:MOSFET 800V 34A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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