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参数资料
型号： IXFK32N80P
厂商： IXYS
文件页数： 2/4页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 800V 32A TO-264
标准包装： 25
系列： PolarHV™ HiPerFET™
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 32A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 270 毫欧 @ 16A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 5V @ 8mA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 150nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 8800pF @ 25V
功率 - 最大： 830W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA
供应商设备封装： TO-264
包装： 管件
IXFK 32N80P
IXFX 32N80P
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
PLUS 247 TM Outline
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
V DS = 20 V; I D = 0.5 I D25 , pulse test
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D =0.5 I D25
23
38
8800
700
26
30
24
S
pF
pF
pF
ns
ns
t d(off)
t f
R G = 2 ? (External)
85
24
ns
ns
Terminals: 1 - Gate
2 - Drain (Collector)
3 - Source (Emitter)
4 - Drain (Collector)
Q g(on)
150
nC
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
Q gs
Q gd
R thJC
R thCS
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
40
44
0.15
nC
nC
0.15 ° C/W
° C/W
A
A 1
A 2
b
b 1
b 2
C
4.83 5.21
2.29 2.54
1.91 2.16
1.14 1.40
1.91 2.13
2.92 3.12
0.61 0.80
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
D
E
e
20.80 21.34
15.75 16.13
5.45 BSC
.819 .840
.620 .635
.215 BSC
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
L
L1
Q
R
19.81 20.32
3.81 4.32
5.59 6.20
4.32 4.83
.780 .800
.150 .170
.220 0.244
.170 .190
I S
I SM
V SD
t rr
Q RM
I RM
V GS = 0 V
Repetitive
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
I F = 25A, -di/dt = 100 A/ μ s
V R = 100V, V GS = 0 V
0.8
6.0
32
70
1.5
250
A
A
V
ns
μ C
A
TO-264 Outline
Millimeter
Dim.
Min. Max.
A
4.82 5.13
A1
2.54 2.89
A2
2.00 2.10
b
1.12 1.42
b1
2.39 2.69
b2
2.90 3.09
c
0.53 0.83
D
25.91 26.16
E
19.81 19.96
e
5.46 BSC
J
0.00 0.25
K
0.00 0.25
L
20.32 20.83
L1
2.29 2.59
P
3.17 3.66
Q
6.07 6.27
Q1
8.38 8.69
R
3.81 4.32
R1
1.78 2.29
S
6.04 6.30
T
1.57 1.83
Inches
Min. Max.
.190 .202
.100 .114
.079 .083
.044 .056
.094 .106
.114 .122
.021 .033
1.020 1.030
.780 .786
.215 BSC
.000 .010
.000 .010
.800 .820
.090 .102
.125 .144
.239 .247
.330 .342
.150 .170
.070 .090
.238 .248
.062 .072
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by 4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344
6,727,585
one or moreof the following U.S. patents:
4,850,072
4,881,106
5,017,508
5,034,796
5,063,307
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,534,343
6,583,505
6,710,405B2
6,710,463
6,759,692
6,771,478 B2
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PDF描述
IXFK32N90P MOSFET N-CH 900V 32A TO-264
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相关代理商/技术参数
参数描述
IXFK32N80Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/32A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK32N90P 功能描述:MOSFET Polar HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK33N50 功能描述:MOSFET 33 Amps 500V 0.16 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK33N50S 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-264VAR
IXFK34N80 功能描述:MOSFET 800V 34A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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