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参数资料
| 型号： | IXFK32N80P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 32A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 32A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 270 毫欧 @ 16A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 150nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 830W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
IXFK 32N80P
IXFX 32N80P
35
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 o C
V GS = 10V
70
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 o C
V GS = 10V
30
25
7V
60
50
7V
6V
6V
20
40
15
10
30
20
5V
5
0
5V
10
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
5
10
15
20
25
30
35
V D S - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 o C
3.1
V D S - Volts
Fig. 4. R DS(on ) Norm alized to 0.5 I D25
Value vs. Junction Tem perature
30
25
20
15
V GS = 10V
7V
6V
2.8
2.5
2.2
1.9
1.6
V GS = 10V
I D = 32A
10
5
0
5V
1.3
1.0
0.7
0.4
I D = 16A
0
3
6
9
12
15
18
21
24
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.8
V D S - Volts
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to
0.5 I D25 Value vs. I D
35
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Tem perature
2.6
V GS = 10V
T J = 125 o C
30
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
25
20
15
10
1.0
0.8
T J = 25 o C
5
0
0
10
20
30
40
50
60
70
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2006 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK32N90P | MOSFET N-CH 900V 32A TO-264 |
| IXFK34N80 | MOSFET N-CH 800V 34A TO-264AA |
| IXFK360N15T2 | MOSFET N-CH 150V 360A TO264 |
| IXFK36N60P | MOSFET N-CH 600V 36A TO-264 |
| IXFK36N60 | MOSFET N-CH 600V 36A TO-264AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK32N80Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/32A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK32N90P | 功能描述:MOSFET Polar HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK33N50 | 功能描述:MOSFET 33 Amps 500V 0.16 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK33N50S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-264VAR |
| IXFK34N80 | 功能描述:MOSFET 800V 34A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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