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参数资料
| 型号： | IXFK24N100Q3 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 24A TO-264 |
| 特色产品： | Q3-Class HiPerFET? Power MOSFETs |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 24A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 440 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 140nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1000W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264AA |
| 包装： | 管件 |
IXFK24N100Q3
IXFX24N100Q3
50
45
40
Fig. 7. Input Admittance
60
50
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
35
30
25
40
30
25oC
20
15
10
5
0
T J = 125oC
25oC
- 40oC
20
10
0
125oC
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
80
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
16
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
70
60
50
40
30
20
10
0
T J = 125oC
T J = 25oC
14
12
10
8
6
4
2
0
V DS = 500V
I D = 12A
I G = 10mA
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
0
50
100
150
200
100,000
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
100
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
R DS(on) Limit
10,000
1,000
100
10
Ciss
Coss
Crss
10
1
0.1
T J = 150oC
T C = 25oC
Single Pulse
25μs
100μs
1ms
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1,000
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V DS - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK24N90Q | MOSFET N-CH 900V 24A TO-264 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IXFK250N10P | 功能描述:MOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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