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参数资料
型号： IXFK24N100Q3
厂商： IXYS
文件页数： 5/5页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 1000V 24A TO-264
特色产品： Q3-Class HiPerFET? Power MOSFETs
标准包装： 25
系列： HiPerFET™
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 1000V（1kV）
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 24A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 440 毫欧 @ 12A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 6.5V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 140nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 7200pF @ 25V
功率 - 最大： 1000W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA
供应商设备封装： TO-264AA
包装： 管件
IXFK24N100Q3
IXFX24N100Q3
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Impedance
1
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Impedance
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10
Pulse Width - Seconds
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
IXYS REF: F_24N100Q3(R8) 10-12-11
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PDF描述
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IXFK26N60Q MOSFET N-CH 600V 26A TO-264
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相关代理商/技术参数
参数描述
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IXFK24N80P 功能描述:MOSFET 24 Amps 800V 0.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK24N90Q 功能描述:MOSFET 24 Amps 900V 0.45 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK250N10P 功能描述:MOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK25N80 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFETTM Power MOSFETs
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