参数资料
型号: IXFK320N17T2
厂商: IXYS
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描述: MOSFET N-CH 170V 320A TO264
标准包装: 25
系列: GigaMOS™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 170V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 320A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 5.2 毫欧 @ 60A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 8mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 640nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 45000pF @ 25V
功率 - 最大: 1670W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA
供应商设备封装: TO-264
包装: 管件
IXFK320N17T2
IXFX320N17T2
Fig. 19. Maximum Transient Thermal Impedance
1.000
Fig. 19. Maximium Transient Thermal Impedance
0.200
0.100
0.010
0.001
.sadgsfgsf
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS REF:F_320N17T2(9V)9-02-09
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参数描述
IXFK32N100P 功能描述:MOSFET 32 Amps 1000V 0.32 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK32N100Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/32A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK32N50Q 功能描述:MOSFET 32 Amps 500V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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