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参数资料
| 型号： | IXFK44N55Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 550V 44A 0TO-264 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 550V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 44A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 22A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 190nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264AA |
| 包装： | 散装 |
Advance Technical Information
HiPerFET TM
Power MOSFETs
Q-CLASS
IXFK 44N55Q
IXFX 44N55Q
V DSS
I D25
R DS(on)
=
=
=
550 V
44 A
120 m ?
Single MOSFET Die
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, Low Qg
High dV/dt, Low t rr
t rr ≤ 250 ns
PLUS 247 TM (IXFX)
Symbol
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
Transient
Maximum Ratings
550 V
550 V
± 20 V
± 30 V
G
D
TO-264 AA (IXFK)
(TAB)
I D25
T C = 25 ° C
44
A
G
I DM
I AR
E AR
E AS
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
176
44
60
2.5
A
A
mJ
J
G = Gate
S = Source
D
S
D = Drain
TAB = Drain
(TAB)
IXYS advanced low Q g process
Low gate charge and capacitances
International standard packages
Low R DS (on)
Rated for unclamped Inductive load
Molding epoxies meet UL 94 V-0
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
M d
Weight
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s
Mounting torque TO-264
PLUS 247
TO-264
10
500
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
0.4/6
6
10
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
Nm/lb.in.
g
g
Features
l
l
- easier to drive
- faster switching
l
l
l
switching (UIS) rated
l
flammability classification
Applications
Symbol
V DSS
Test Conditions
V GS = 0 V, I D = 250uA
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
550 V
l
l
l
l
DC-DC converters
Battery chargers
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
DC choppers
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = 4mA
V GS = ± 20 V, V DS = 0
2.5
4.5 V
± 100 nA
l
l
AC motor control
Temperature and lighting controls
PLUS 247 TM package for clip or spring
Space savings
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Note 1
T J = 125 ° C
100 μ A
2 mA
120 m ?
Advantages
l
mounting
l
l
High power density
? 2002 IXYS All rights reserved
98918 (04/02)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK44N60 | MOSFET N-CH 600V 44A TO-264AA |
| IXFK44N80P | MOSFET N-CH 800V 44A TO-264 |
| IXFK48N50Q | MOSFET N-CH 500V 48A TO-264 |
| IXFK48N50 | MOSFET N-CH 500V 48A TO-264AA |
| IXFK48N55 | MOSFET N-CH 550V 48A TO-264AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK44N60 | 功能描述:MOSFET DIODE Id44 BVdass600 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK44N80P | 功能描述:MOSFET 44 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK44N80Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/44A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK48N50 | 功能描述:MOSFET DIODE Id48 BVdass500 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK48N50 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-264 |
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