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参数资料
| 型号： | IXFK44N80P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 44A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 44A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 190 毫欧 @ 22A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 198nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 12000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1040W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
PolarHV TM HiPerFET
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
IXFK 44N80P
IXFX 44N80P
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
= 800 V
= 44 A
≤ 190 m Ω
≤ 250 ns
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-264 (IXFK)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M Ω
800
800
V
V
V GS
V GSM
Continuous
Transient
± 30
± 40
V
V
G
I D25
I DM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
44
100
A
A
D
S
(TAB)
I AR
E AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
22
80
3.4
10
A
mJ
J
V/ns
PLUS247 (IXFX)
T J ≤ 150 ° C, R G = 10 Ω
P D
T C = 25 ° C
1040
W
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
° C
° C
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
(TAB)
D = Drain
TAB = Drain
M d
Mounting torque
(IXFK)
1.13.10 Nm/lb.in.
Features
F C
Mounting force
(IXFX)
20..120 /4.5..25
N/lb
Fast intrinsic diode
International standard packages
Weight
(IXFK)
(IXFX)
10
5
g
g
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
Advantages
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 800 μ A
800
V
Easy to mount
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 8 mA
V GS = ± 30 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
3.0
5.0
± 200
50
1.5
V
nA
μ A
mA
Space savings
High power density
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25 , Note 1
190
m Ω
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99478E(01/06)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK48N50Q | MOSFET N-CH 500V 48A TO-264 |
| IXFK48N50 | MOSFET N-CH 500V 48A TO-264AA |
| IXFK48N55 | MOSFET N-CH 550V 48A TO-264AA |
| IXFK48N60Q3 | MOSFET N-CH 600V 48A TO-264 |
| IXFK55N50 | MOSFET N-CH 500V 55A TO-264AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK44N80Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/44A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK48N50 | 功能描述:MOSFET DIODE Id48 BVdass500 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK48N50 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-264 |
| IXFK48N50Q | 功能描述:MOSFET 48 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK48N50Q_03 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS |
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