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参数资料
| 型号： | IXFK44N80P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 44A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 44A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 190 毫欧 @ 22A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 198nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 12000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1040W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
IXFK 44N80P
IXFX 44N80P
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
TO-264 (IXFK) Outline
Min. Typ. Max.
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
V DS = 20 V; I D = 0.5 I D25 , Note 1
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = I D25
R G = 1 Ω (External)
27
43
12
910
30
28
22
75
S
nF
pF
pF
ns
ns
ns
t f
Q g(on)
27
198
ns
nC
Dim.
A
A1
Millimeter
Min. Max.
4.82 5.13
2.54 2.89
Inches
Min. Max.
.190 .202
.100 .114
Q gs
Q gd
R thJC
R thCS
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
67
65
0.15
nC
nC
0.12 ° C/W
° C/W
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
2.00 2.10
1.12 1.42
2.39 2.69
2.90 3.09
0.53 0.83
25.91 26.16
19.81 19.96
5.46 BSC
0.00 0.25
.079 .083
.044 .056
.094 .106
.114 .122
.021 .033
1.020 1.030
.780 .786
.215 BSC
.000 .010
K
L
0.00 0.25
20.32 20.83
.000 .010
.800 .820
Source-Drain Diode
Characteristic Values
T J = 25 ° C unless otherwise specified)
L1
P
Q
2.29 2.59
3.17 3.66
6.07 6.27
.090 .102
.125 .144
.239 .247
Symbol
Test Conditions
Min. Typ. Max.
Q1
8.38 8.69
.330 .342
R
3.81 4.32
.150 .170
I S
I SM
V GS = 0 V
Repetitive
44
100
A
A
R1
S
T
1.78 2.29
6.04 6.30
1.57 1.83
.070 .090
.238 .248
.062 .072
V SD
t rr
Q RM
I RM
I F = I S , V GS = 0 V, Note 1
I F = 22 A, -di/dt = 100 A/ μ s
V R = 100 V, V GS = 0 V
0.8
8.0
1.5
250
V
ns
μ C
A
PLUS 247 TM (IXFX) Outline
Note 1: Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
Terminals: 1 - Gate
2 - Drain (Collector)
3 - Source (Emitter)
4 - Drain (Collector)
Dim.
A
A 1
A 2
b
b 1
b 2
C
D
E
e
L
L1
Q
Millimeter
Min. Max.
4.83 5.21
2.29 2.54
1.91 2.16
1.14 1.40
1.91 2.13
2.92 3.12
0.61 0.80
20.80 21.34
15.75 16.13
5.45 BSC
19.81 20.32
3.81 4.32
5.59 6.20
Inches
Min. Max.
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 0.244
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
R
4.32 4.83
.170 .190
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by 4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344
6,727,585
one or more of the following U.S. patents:
4,850,072
4,881,106
5,017,508
5,034,796
5,063,307
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,534,343
6,583,505
6,710,405B2
6,710,463
6,759,692
6771478 B2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK48N50Q | MOSFET N-CH 500V 48A TO-264 |
| IXFK48N50 | MOSFET N-CH 500V 48A TO-264AA |
| IXFK48N55 | MOSFET N-CH 550V 48A TO-264AA |
| IXFK48N60Q3 | MOSFET N-CH 600V 48A TO-264 |
| IXFK55N50 | MOSFET N-CH 500V 55A TO-264AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK44N80Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/44A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK48N50 | 功能描述:MOSFET DIODE Id48 BVdass500 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK48N50 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-264 |
| IXFK48N50Q | 功能描述:MOSFET 48 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK48N50Q_03 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS |
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