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参数资料
型号： IXFK48N50
厂商： IXYS
文件页数： 2/4页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 500V 48A TO-264AA
产品目录绘图： TO-264(AA) Package
标准包装： 25
系列： HiPerFET™
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 48A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 100 毫欧 @ 24A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 4V @ 8mA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 270nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 8400pF @ 25V
功率 - 最大： 500W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA
供应商设备封装： TO-264AA
包装： 管件
IXFN / IXFK 44N50
IXFN / IXFK 48N50
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ.
max.
TO-264 AA Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
V DS = 10 V; I D = 0.5 ? I D25 , pulse test
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
R G = 1 ? (External),
22
42
8400
900
280
30
60
100
30
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
Q g(on)
Q gs
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
270
60
nC
nC
Dim.
A
Millimeter
Min. Max.
4.82 5.13
Inches
Min. Max.
.190 .202
Q gd
135
nC
A1
A2
2.54
2.00
2.89
2.10
.100 .114
.079 .083
R thJC
R thCK
TO-264 AA
TO-264 AA
0.15
0.25
K/W
K/W
b
b1
b2
c
1.12
2.39
2.90
0.53
1.42
2.69
3.09
0.83
.044 .056
.094 .106
.114 .122
.021 .033
R thJC
R thCK
miniBLOC, SOT-227 B
miniBLOC, SOT-227 B
0.05
0.24
K/W
K/W
D
E
e
J
25.91
19.81
5.46
0.00
26.16
19.96
BSC
0.25
1.020 1.030
.780 .786
.215 BSC
.000 .010
K
L
0.00
20.32
0.25
20.83
.000 .010
.800 .820
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
L1
P
Q
Q1
R
2.29
3.17
6.07
8.38
3.81
2.59
3.66
6.27
8.69
4.32
.090 .102
.125 .144
.239 .247
.330 .342
.150 .170
I S
V GS = 0 V
48
A
R1
S
1.78
6.04
2.29
6.30
.070 .090
.238 .248
T
1.57
1.83
.062 .072
I SM
Repetitive; pulse width limited by T JM
192
A
V SD
I F = 100 A, V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
1.5
V
miniBLOC, SOT-227 B
t rr
Q RM
I RM
I F = I S , -di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V
TBD
20
250
ns
μ C
A
M4 screws (4x) supplied
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.1
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
-0.002
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
? 2000 IXYS All rights reserved
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
C1 - 185
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IXFK48N50 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-264
IXFK48N50Q 功能描述:MOSFET 48 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK48N50Q_03 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS
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IXFK48N55 功能描述:MOSFET N-CH 550V 48A TO-264AA RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HiPerFET™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
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