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参数资料
| 型号： | IXFK48N50 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 48A TO-264AA |
| 产品目录绘图： | TO-264(AA) Package |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 48A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 24A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 270nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264AA |
| 包装： | 管件 |
IXFN / IXFK 44N50
IXFN / IXFK 48N50
10
Fig.7 Gate Charge Characteristic Curve
10000
Fig.8 Capacitance Curves
V DS = 250V
9
I D = 24A
8 I G = 10mA
7
6
5
4
3
2
1
0
9000
8000
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
f = 1 MHz
V DS = 25V
C iss
C oss
C rss
0
50
100 150 200 250 300 350 400
0
5
10
15
20
25
100
90
80
70
60
Gate Charge - nCoulombs
Fig.9 Source Current vs. Source
to Drain Voltage
V DS - Volts
50
40
30
20
10
0
T J = 125°C
T J = 25°C
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
V SD - Volt
Fig.10 Transient Thermal Impedance
0.1
0.01
0.001
0.01
0.1
1
Time - Seconds
? 2000 IXYS All rights reserved
C1 - 187
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK48N55 | MOSFET N-CH 550V 48A TO-264AA |
| IXFK48N60Q3 | MOSFET N-CH 600V 48A TO-264 |
| IXFK55N50 | MOSFET N-CH 500V 55A TO-264AA |
| IXFK60N25Q | MOSFET N-CH 250V 60A TO-264AA |
| IXFK64N50Q3 | MOSFET N-CH 500V 64A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK48N50 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-264 |
| IXFK48N50Q | 功能描述:MOSFET 48 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK48N50Q_03 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS |
| IXFK48N50S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 48A I(D) | TO-264VAR |
| IXFK48N55 | 功能描述:MOSFET N-CH 550V 48A TO-264AA RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HiPerFET™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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