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参数资料
| 型号： | IXFK60N25Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 60A TO-264AA |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 47 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 180nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264AA |
| 包装： | 管件 |
IXFH 60N25Q IXFK 60N25Q
IXFT 60N25Q
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ.
max.
TO-247 AD (IXFH) Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
V DS = 10 V; I D = 0.5 ? I D25 , pulse test
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
22
35
5100
1000
400
S
pF
pF
pF
t d(on)
27
ns
Dim. Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
R thJC
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
R G = 2.0 W (External),
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
60
80
25
180
39
90
0.35
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K/W
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32 5.49
5.4 6.2
1.65 2.13
- 4.5
1.0 1.4
10.8 11.0
4.7 5.3
0.780 0.800
0.819 0.845
0.610 0.640
0.140 0.144
0.170 0.216
0.212 0.244
0.065 0.084
- 0.177
0.040 0.055
0.426 0.433
0.185 0.209
M
0.4
0.8
0.016 0.031
R thCK
TO-247
0.25
K/W
N
1.5 2.49
0.087 0.102
TO-264
0.15
K/W
TO-264 AA (IXFK) Outline
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Symbol
Test Conditions
min. typ.
max.
I S
I SM
V GS = 0 V
Repetitive; pulse width limited by T JM
60
240
A
A
V SD
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
1.5
V
Dim.
A
Millimeter
Min. Max.
4.82 5.13
Inches
Min. Max.
.190 .202
t rr
Q RM
I RM
I F = I S -di/dt = 100 A/ m s, V R = 100 V
1
8
250
ns
m C
A
A1
A2
b
b1
b2
2.54
2.00
1.12
2.39
2.90
2.89
2.10
1.42
2.69
3.09
.100 .114
.079 .083
.044 .056
.094 .106
.114 .122
c
D
E
e
J
0.53
25.91
19.81
5.46
0.00
0.83
26.16
19.96
BSC
0.25
.021 .033
1.020 1.030
.780 .786
.215 BSC
.000 .010
TO-268AA (IXFT) (D 3 PAK)
Dim.
A
A 1
A 2
b
b 2
C
Millimeter
Min. Max.
4.9 5.1
2.7 2.9
.02 .25
1.15 1.45
1.9 2.1
.4 .65
Inches
Min. Max.
.193 .201
.106 .114
.001 .010
.045 .057
.75 .83
.016 .026
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
0.00
20.32
2.29
3.17
6.07
8.38
3.81
1.78
6.04
1.57
0.25
20.83
2.59
3.66
6.27
8.69
4.32
2.29
6.30
1.83
.000 .010
.800 .820
.090 .102
.125 .144
.239 .247
.330 .342
.150 .170
.070 .090
.238 .248
.062 .072
D
13.80 14.00
.543 .551
E
E 1
e
H
L
L1
L2
L3
L4
15.85 16.05
13.3 13.6
5.45 BSC
18.70 19.10
2.40 2.70
1.20 1.40
1.00 1.15
0.25 BSC
3.80 4.10
.624 .632
.524 .535
.215 BSC
.736 .752
.094 .106
.047 .055
.039 .045
.010 BSC
.150 .161
Min. Recommended Footprint
? 2000 IXYS All rights reserved
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
2-2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK64N50Q3 | MOSFET N-CH 500V 64A TO-264 |
| IXFK64N60Q3 | MOSFET N-CH 600V 64A TO-264 |
| IXFK73N30Q | MOSFET N-CH 300V 73A TO-264 |
| IXFK73N30 | MOSFET N-CH 300V 73A TO-264AA |
| IXFK80N20 | MOSFET N-CH 200V 80A TO-264AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK60N55Q2 | 功能描述:MOSFET 60 Amps 550V 0.09 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK62N25 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Single MOSFET Die |
| IXFK64N50P | 功能描述:MOSFET 500V 64A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK64N50Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/64A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK64N60P | 功能描述:MOSFET 600V 64A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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