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参数资料
| 型号： | IXFL39N90 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 900V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 34A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 220 毫欧 @ 19.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 375nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 13400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 580W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS264? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS264? |
| 包装： | 管件 |
Single Die MOSFET
HiPerFET TM Power MOSFETs IXFL 39N90 V DSS
ISOPLUS264 TM I D25
(Electrically Isolated Backside) R DS(on)
t
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt, Low t rr
Preliminary Data Sheet
= 900 V
= 34 A
= 220 m ?
< ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
ISOPLUS-264 TM
V DSS
T J = 25 ° C to 150 ° C
900
V
V DGR
V GS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
Transient
900
± 20
± 30
V
V
V
G
D
S
(Backside)
I D25
T C = 25 ° C, Chip capability
34
A
G = Gate
D = Drain
I DM
I AR
E AR
E AS
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T C = 25 ° C, Note 1
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
T C = 25 ° C
154
39
64
4
5
580
-40 ... +150
150
-40 ... +150
A
A
mJ
J
V/ns
W
° C
° C
° C
S = Source
Features
Silicon chip on Direct-Copper-Bond
substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
Low drain to tab capacitance(<30pF)
Low R DS (on) HDMOS TM process
Rugged polysilicon gate cell structure
Unclamped Inductive Switching (UIS)
V ISOL
Weight
50/60 Hz, RMS
I ISOL ≤ 1 mA
t = 1 min
t=1s
2500
3000
8
V~
V~
g
rated
Fast intrinsic Rectifier
Applications
DC-DC converters
Battery chargers
Switched-mode and resonant-mode
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
power supplies
DC choppers
AC motor control
V DSS
V GH(th)
I GSS
I DSS
V GS = 0 V, I D = 3 mA
V DS = V GS , I D = 8 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
900
2.5
5.0
± 200
100
2
V
V
nA
μ A
mA
Advantages
Easy assembly
Space savings
High power density
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = I T
Notes 2, 3
220
m ?
? 2003 IXYS All rights reserved
DS99094(10/03)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFL44N100P | MOSFET N-CH 1000V 22A I5-PAK |
| IXFL44N60 | MOSFET N-CH 600V 41A ISOPLUS264 |
| IXFL44N80 | MOSFET N-CH 800V 44A ISOPLUS264 |
| IXFL60N60 | MOSFET N-CH 600V 60A ISOPLUS264 |
| IXFL60N80P | MOSFET N-CH 800V 40A ISOPLUS264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFL40N110P | 功能描述:MOSFET 40 Amps 1100V 0.2800 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFL44N100P | 功能描述:MOSFET 44 Amps 1000V 0.22 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFL44N60 | 功能描述:MOSFET 44 Amps 600V 0.13W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFL44N80 | 功能描述:MOSFET 44 Amps 800V 0.165W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFL450 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-254 |
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