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参数资料
| 型号： | IXFL82N60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 55A ISOPLUS 264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 55A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 78 毫欧 @ 41A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 240nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 23000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 625W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS264? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS264? |
| 包装： | 管件 |
IXFL 82N60P
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
ISOPLUS264 (IXFL) Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
V DS = 20 V; I D = I T , Note 1
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = I T
R G = 1 ? (External)
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = I T
50
80
23
1490
200
28
23
79
24
240
96
67
S
nF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
Note: Bottom heatsink meets
2500Vrms Isolation to the other pins.
R thJC
0.20 ° C/W
R thCS
0.13
° C/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
Symbol
Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
I S
I SM
V GS = 0 V
Repetitive
82
200
A
A
V SD
t rr
Q RM
I RM
I F = I S , V GS = 0 V, Note 1
I F = 25A, -di/dt = 100 A/ μ s
V R = 100V
0.6
6.0
1.5
200
V
ns
μ C
A
Ref: IXYS CO 0128 R0
Notes:
1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
Test Current I T = 41A
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by 4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344
6,727,585
one or moreof the following U.S. patents:
4,850,072
4,881,106
5,017,508
5,034,796
5,063,307
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,534,343
6,583,505
6,710,405B2
6,710,463
6,759,692
6,771,478 B2
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PDF描述 |
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| IXFM10N65 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
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