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参数资料
| 型号： | IXFN100N25 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 27 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 300nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 600W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
Advanced Technical Information
HiPerFET TM
Power MOSFETs
Single MOSFET Die
IXFN 100N25
V DSS
I D25
R DS(on)
= 250 V
= 100 A
= 27 m W
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt, Low t rr
t rr ￡ 250 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)
E153432
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M W
Continuous
Transient
250
250
± 20
± 30
V
V
V
V
G
S
I D25
I DM
I AR
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
100
400
100
A
A
A
D
S
E AR
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
64
3
mJ
J
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
I S ￡ I DM , di/dt ￡ 100 A/ m s, V DD ￡ V DSS
T J ￡ 150 ° C, R G = 2 W
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s
5
600
-55 ... +150
150
-55 ... +150
-
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
Either Source terminal at miniBLOC can be used
as Main or Kelvin Source
Features
? International standard package
? miniBLOC, with Aluminium nitride
isolation
V ISOL
M d
50/60 Hz, RMS t = 1 min
I ISOL ￡ 1 mA t=1s
Mounting torque
Terminal connection torque
2500 V~
3000 V~
1.5/13 Nm/lb.in.
1.5/13 Nm/lb.in.
? Low R DS (on) HDMOS TM process
? Rugged polysilicon gate cell structure
? Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
? Low package inductance
Weight
30
g
? Fast intrinsic Rectifier
Applications
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ.
max.
? DC-DC converters
? Battery chargers
? Switched-mode and resonant-mode
V DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = 0 V, I D = 3mA
V DS = V GS , I D = 8mA
V GS = ± 20 V, V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = 0.5 ? I D25
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
250
2
V
4 V
± 200 nA
100 m A
2 mA
27 m W
power supplies
? DC choppers
? Temperature and lighting controls
Advantages
? Easy to mount
? Space savings
Note 1
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
? 2000 IXYS All rights reserved
? High power density
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN100N50P | MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B |
| IXFN100N50Q3 | MOSFET N-CH 500V 82A SOT-227 |
| IXFN120N20 | MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B |
| IXFN130N30 | MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B |
| IXFN140N20P | MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN100N50P | 功能描述:MOSFET 500V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN100N50Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/82A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN102N30P | 功能描述:MOSFET 102 Amps 300V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN106N20 | 功能描述:MOSFET 200V 106A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN110N20 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 110A I(D) |
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