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参数资料
| 型号： | IXFN130N30 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 130A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 22 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 380nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 14500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
I D25
HiPerFET TM
Power MOSFETs
Single Die MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt, Low t rr
IXFN 130N30
D
G
S
S
V DSS = 300 V
= 130 A
R DS(on) = 22 m ?
t rr < 250 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)
V DSS
V DGR
V GS
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
300
300
± 20
V
V
V
E153432
G
S
V GSM
Transient
± 30
V
I D25
I L(RMS)
I DM
T C = 25 ° C
Terminal (current limit)
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
130
100
520
A
A
A
D
S
I AR
E AR
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
100
85
A
mJ
G = Gate
S = Source
D = Drain
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
4
5
J
V/ns
Either Source terminal at miniBLOC can be used
as Main or Kelvin Source
Features
P D
T J
T JM
T stg
V ISOL
M d
Weight
T C = 25 ° C
50/60 Hz, RMS t = 1 min
I ISOL ≤ 1 mA t=1s
Mounting torque
Terminal connection torque
700 W
-55 ... +150 ° C
150 ° C
-55 ... +150 ° C
2500 V~
3000 V~
1.5/13 Nm/lb.in.
1.5/13 Nm/lb.in.
30
g
? International standard packages
? miniBLOC, with Aluminium nitride
isolation
? Low R DS (on) HDMOS TM process
? Rugged polysilicon gate cell structure
? Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
? Low package inductance
? Fast intrinsic Rectifier
Applications
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
? DC-DC converters
? Battery chargers
? Switched-mode and resonant-mode
V DSS
V GH(th)
I GSS
I DSS
V GS = 0 V, I D = 3 mA
V DS = V GS , I D = 8 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
300
2
4
± 200
100
2
V
V
nA
μ A
mA
power supplies
? DC choppers
? Temperature and lighting controls
Advantages
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 ? I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s,
duty cycle d ≤ 2 %
22 m ?
? Easy to mount
? Space savings
? High power density
? 2003 IXYS All rights reserved
DS98531F(01/03)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN140N20P | MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B |
| IXFN140N25T | MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227 |
| IXFN140N30P | MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B |
| IXFN150N15 | MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227 |
| IXFN160N30T | MOSFET N-CH 300V 130A SOT227 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN132N50P3 | 功能描述:MOSFET 500V 112A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN140N20P | 功能描述:MOSFET 140 Amps 200V 0.018 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN140N25T | 功能描述:MOSFET GigaMOS HiperFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN140N30P | 功能描述:MOSFET 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN150N10 | 功能描述:MOSFET 150 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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