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参数资料
| 型号： | IXFN140N30P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | Polar™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 70A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 185nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 14800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
Polar TM Power MOSFET
HiPerFET TM
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXFN140N30P
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
=
=
≤
≤
300V
110A
24 m Ω
200 ns
Fast Intrinsic Diode
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
miniBLOC, SOT-227 B
E153432
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
300
300
± 20
± 30
V
V
V
V
G
S
S
I D25
I LRMS
I DM
T C = 25 ° C
External lead current limit
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
110
100
300
A
A
A
G = Gate
D
D = Drain
I A
E AS
dV/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
1.6mm (0.062 in.) from case for 10s
70
5
20
700
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
A
J
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
S = Source
Either Source terminal at miniBLOC can be used
as Main or Kelvin Source
Features
? Fast intrinsic diode
? Avalanche Rated
? Low R DS(ON) and Q G
? Low package inductance
V ISOL
M d
Weight
50/60 Hz, RMS
I ISOL ≤ 1mA
Mounting torque
Terminal connection torque
t = 1min
t = 1s
2500
3000
1.5/13
1.3/11.5
30
V~
V~
Nm/lb.in.
Nm/lb.in.
g
Advantages
? Easy to mount
? Space savings
? High power density
Applications
? DC-DC coverters
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
BV DSS V GS = 0V, I D = 3mA
V GS(th) V DS = V GS , I D = 8mA
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
300
3.0 5.0
V
V
? Battery chargers
? Switched-mode and resonant-mode
power supplies
? DC choppers
? AC and DC motor control
? Uninterrupted power supplies
I GSS
V GS = ± 20V, V DS = 0V
± 200
nA
? High speed power switching
applications
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS
V GS = 0V
V GS = 10V, I D = 70A, Note 1
T J = 125 ° C
20
25
1
24
μ A
mA
m Ω
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99571F(05/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN150N15 | MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227 |
| IXFN160N30T | MOSFET N-CH 300V 130A SOT227 |
| IXFN170N30P | MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B |
| IXFN180N15P | MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B |
| IXFN180N20 | MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN150N10 | 功能描述:MOSFET 150 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN150N15 | 功能描述:MOSFET 150V 150A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN15N100 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 15A I(D) | SOT-227B |
| IXFN160N30T | 功能描述:MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 300V 130A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN16N100 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
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