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参数资料
| 型号： | IXFN150N15 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227 |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 150A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12.5 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 360nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 600W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | Q3181657 |
HiPerFET TM
Power MOSFET
IXFN 150N15
V DSS
I D25
R DS(on)
= 150 V
= 150 A
= 12.5 m W
Single MOSFET Die
Preliminary data sheet
t rr ￡ 250 ns
Symbol Test Conditions
Maximum Ratings
miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)
E153432
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
I D25
I L(RMS)
I DM
I AR
E AR
E AS
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
V ISOL
T J = 25°C to 150°C
T J = 25°C to 150°C, R GS = 1M W
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
Terminal (current limit)
T C = 25 ° C; Note 1
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ￡ I DM , di/dt ￡ 100 A/ m s, V DD ￡ V DSS
T J ￡ 150 ° C, R G = 2 W
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s
50/60 Hz, RMS t = 1 min
I ISOL ￡ 1 mA t=1s
150
150
± 20
± 30
150
100
600
150
60
3
5
600
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
2500
3000
V
V
V
V
A
A
A
A
mJ
J
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
V~
V~
S
G
S
D
G = Gate D = Drain
S = Source
Either Source terminal at miniBLOC can be used
as Main or Kelvin Source
Features
· International standard package
· Encapsulating epoxy meets
UL 94 V-0, flammability classification
· miniBLOC with Aluminium nitride
isolation
· Low R DS (on) HDMOS TM process
· Rugged polysilicon gate cell structure
· Unclamped Inductive Switching (UIS)
M d
Weight
Mounting torque
Terminal connection torque
1.5/13 Nm/lb.in.
1.5/13 Nm/lb.in.
30
g
rated
· Low package inductance
· Fast intrinsic Rectifier
Applications
·
DC-DC converters
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min.
Characteristic Values
Typ. Max.
·
·
·
Synchronous rectification
Battery chargers
Switched-mode and resonant-mode
V DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = 0 V, I D = 3mA
V DS = V GS , I D = 8mA
V GS = ± 20V, V GS = 0V
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25
Note 2
150
2
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
4
± 100
100
2
12.5
V
V
nA
m A
mA
m W
power supplies
· DC choppers
· Temperature and lighting controls
· Low voltage relays
Advantages
· Easy to mount
· Space savings
· High power density
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
? 2000 IXYS All rights reserved
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1-2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN160N30T | MOSFET N-CH 300V 130A SOT227 |
| IXFN170N30P | MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B |
| IXFN180N15P | MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B |
| IXFN180N20 | MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IXFN16N100 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFN170N10 | 功能描述:MOSFET 170 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN170N10 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-227B |
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