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参数资料
| 型号： | IXFN150N15 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227 |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 150A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12.5 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 360nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 600W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | Q3181657 |
IXFN 150N10
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
miniBLOC, SOT-227 B
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
V DS = 10 V; I D = 60A, Note 2
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
50
75
9100
2600
1200
50
60
S
pF
pF
pF
ns
ns
t d(off)
R G = 1 W (External),
110
ns
M4 screws (4x) supplied
t f
45
ns
Dim.
A
Millimeter
Min. Max.
31.50
31.88
Inches
Min. Max.
1.240
1.255
Q g(on)
360
nC
B
7.80
8.20
0.307
0.323
Q gs
Q gd
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
65
190
nC
nC
C
D
E
F
4.09
4.09
4.09
14.91
4.29
4.29
4.29
15.11
0.161
0.161
0.161
0.587
0.169
0.169
0.169
0.595
G
30.12
30.30
1.186
1.193
R thJC
R thCK
miniBLOC, SOT-227 B
miniBLOC, SOT-227 B
0.05
0.21
K/W
K/W
H
J
K
38.00
11.68
8.92
38.23
12.22
9.60
1.496
0.460
0.351
1.505
0.481
0.378
L
M
N
O
P
Q
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
Source-Drain Diode
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
R
S
T
U
3.94
4.72
24.59
-0.05
4.42
4.85
25.07
0.1
0.155
0.186
0.968
-0.002
0.174
0.191
0.987
0.004
I S
I SM
V GS = 0
Repetitive;
150
600
A
A
pulse width limited by T JM
V SD
I F = 100 A, V GS = 0 V,
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
1.5
V
t rr
Q RM
I RM
I F = 50 A, -di/dt = 100 A/ m s, V R = 50 V
1.1
13
250
ns
m C
A
Notes:
1. Pulse width limited by T JM.
2. Pulse test, t ￡ 300 ms, duty cycle d ￡ 2 %
? 2000 IXYS All rights reserved
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
2-2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN160N30T | MOSFET N-CH 300V 130A SOT227 |
| IXFN170N30P | MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B |
| IXFN180N15P | MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B |
| IXFN180N20 | MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B |
| IXFN180N25T | MOSFET N-CH 155A 250V SOT-227 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN15N100 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 15A I(D) | SOT-227B |
| IXFN160N30T | 功能描述:MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 300V 130A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN16N100 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFN170N10 | 功能描述:MOSFET 170 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN170N10 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-227B |
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