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参数资料
| 型号： | IXFN140N30P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | Polar™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 70A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 185nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 14800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFN140N30P
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
140
V GS = 10V
280
120
100
80
60
8V
7V
6V
240
200
160
120
V GS = 10V
8V
7V
6V
40
80
20
0
5V
40
0
5V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
140
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
3.2
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 70A Value
vs. Junction Temperature
120
100
80
60
40
20
0
V GS = 10V
8V
7V
6V
5V
2.8
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
V GS = 10V
I D = 140A
I D = 70A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.0
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 70A Value
vs. Drain Current
120
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.8
2.6
V GS = 10V
T J = 125oC
110
100
External Lead Current Limit
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
90
80
70
60
50
40
30
1.2
1.0
0.8
T J = 25oC
20
10
0
0
40
80
120
160
200
240
280
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN150N15 | MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227 |
| IXFN160N30T | MOSFET N-CH 300V 130A SOT227 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN150N10 | 功能描述:MOSFET 150 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| IXFN16N100 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
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