- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录455 > IXFN140N30P (IXYS)MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFN140N30P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | Polar™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 70A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 185nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 14800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFN140N30P
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Impedance
1.000
0.100
0.010
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
IXYS REF: F_140N30P(93)5-13-08-B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN150N15 | MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227 |
| IXFN160N30T | MOSFET N-CH 300V 130A SOT227 |
| IXFN170N30P | MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B |
| IXFN180N15P | MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B |
| IXFN180N20 | MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN150N10 | 功能描述:MOSFET 150 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN150N15 | 功能描述:MOSFET 150V 150A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN15N100 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 15A I(D) | SOT-227B |
| IXFN160N30T | 功能描述:MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 300V 130A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN16N100 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。