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参数资料
| 型号： | IXFN140N20P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | PolarHT™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 115A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 70A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 240nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 680W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
I D25
PolarHT TM HiPerFET IXFN 140N20P
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Fast Intrinsic Diode
V DSS = 200 V
= 115 A
R DS(on) ≤ 18 m Ω
t rr ≤ 150 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
V GS
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C; R GS = 1 M Ω
Continuous
200
200
± 20
V
V
V
miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)
E153432
V GSM
I D25
I D(RMS)
Transient
T C = 25 ° C
External lead current limit
± 30
115
100
V
A
A
G
S
I DM
I AR
E AR
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
280
60
100
A
A
mJ
D
S
E AS
T C = 25 ° C
4
J
G = Gate
S = Source
D = Drain
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
V ISOL
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 4 Ω
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
50/60 Hz, RMS, 1 minute
10
680
-55 ... +175
175
-55 ... +150
300
2500
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
V~
Either source tab S can be used forsource
current or Kelvin gate return.
Features
International standard package
Unclamped Inductive Switching (UIS)
M d
Terminal torque
Mounting torque
1.13/10 Nm/lb.in.
1.13/10 Nm/lb.in.
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Weight
30
g
Fast intrinsic diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
Advantages
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
BV DSS V GS = 0 V, I D = 250 μ A
Min. Typ. Max.
200
V
Easy to mount
Space savings
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
2.5
5.0
± 100
25
250
V
nA
μ A
μ A
High power density
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 70 A
V GS = 15 V, I D = 140A
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
14
18
m Ω
m Ω
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99245E(03/06)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN140N25T | MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227 |
| IXFN140N30P | MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B |
| IXFN150N15 | MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227 |
| IXFN160N30T | MOSFET N-CH 300V 130A SOT227 |
| IXFN170N30P | MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN140N25T | 功能描述:MOSFET GigaMOS HiperFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN140N30P | 功能描述:MOSFET 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN150N10 | 功能描述:MOSFET 150 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN150N15 | 功能描述:MOSFET 150V 150A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN15N100 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 15A I(D) | SOT-227B |
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