- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录454 > IXFN140N20P (IXYS)MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFN140N20P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | PolarHT™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 115A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 70A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 240nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 680W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFN 140N20P
225
200
175
150
125
Fig. 7. Input Adm ittance
120
110
100
90
80
70
Fig. 8. Trans conductance
100
60
50
T J = -40 o C
25 o C
75
50
25
0
T J = 150 o C
25 o C
-40 o C
40
30
20
10
0
150 o C
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
0
40
80
120
160
200
240
350
V G S - V olts
Fig. 9. Sour ce Cur re nt vs .
Source -To-Drain V oltage
10
I D - A mperes
Fig. 10. Gate Char ge
9
V DS = 100V
300
250
200
150
100
T J = 150 o C
8
7
6
5
4
3
2
I D = 70A
I G = 10m A
50
0
T J = 25 o C
1
0
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0
25
50
75
100 125 150 175 200 225 250
V S D - V olts
Q
G
- nanoCoulombs
100,000
Fig. 11. Capacitance
f = 1M Hz
1000
Fig. 12. For w ar d-Bias
Safe Ope r ating Ar e a
10,000
C iss
100
R DS (on) Lim it
25μs
100μs
C os s
1m s
1,000
100
C rs s
10
1
T J = 175 o C
T C = 25 o C
DC
10m s
0
5
10
15 20 25
V DS - V olts
30
35
40
1
10
V D S - V olts
100
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN140N25T | MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227 |
| IXFN140N30P | MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B |
| IXFN150N15 | MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227 |
| IXFN160N30T | MOSFET N-CH 300V 130A SOT227 |
| IXFN170N30P | MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN140N25T | 功能描述:MOSFET GigaMOS HiperFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN140N30P | 功能描述:MOSFET 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN150N10 | 功能描述:MOSFET 150 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN150N15 | 功能描述:MOSFET 150V 150A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN15N100 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 15A I(D) | SOT-227B |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。