- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录454 > IXFN100N50P (IXYS)MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFN100N50P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 90A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 49 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 240nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 20000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1040W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | Q3394492 |
PolarHV TM HiPerFET
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXFN 100N50P
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
=
=
≤
≤
500 V
90 A
49 m ?
200 ns
Fast Intrinsic Diode
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
Transient
500
500
± 30
± 40
V
V
V
V
E153432
G
S
I D25
I DRMS
I DM
I AR
T C = 25 ° C
External lead current limit
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
90
75
250
100
A
A
A
A
G = Gate
S = Source
D
D = Drain
S
E AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
100
5
20
mJ
J
V/ns
Either Source terminal S can be used as the
Source terminal or the Kelvin Source (gate
return) terminal.
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
P D
T C = 25 ° C
1040
W
T J
T JM
T stg
T L
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
° C
° C
° C
° C
Features
? International standard package
? Encapsulating epoxy meets
UL 94 V-0, flammability classification
Fast recovery diode
Unclamped Inductive Switching (UIS)
V ISOL
M d
50/60 Hz, RMS t = 1 min
I ISOL ≤ 1 mA t = 1 s
Mounting torque
Terminal connection torque
2500 V~
3000 V~
1.5 / 13 Nm/lb.in.
1.5 / 13 Nm/lb.in.
? miniBLOC with Aluminium nitride
isolation
l
l
rated
Weight
SOT-227B
30
g
l
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Easy to mount
Space savings
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
BV DSS V GS = 0 V, I D = 3 mA
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
500 V
Advantages
l
l
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 8 mA
3.0
5.0
V
l
High power density
I GSS
V GS = ± 30 V DC , V DS = 0
± 200
nA
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = I T , Note 1
T J = 125 ° C
25
2000
49
μ A
μ A
m ?
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99497E(01/06)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN100N50Q3 | MOSFET N-CH 500V 82A SOT-227 |
| IXFN120N20 | MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B |
| IXFN130N30 | MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B |
| IXFN140N20P | MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B |
| IXFN140N25T | MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN100N50Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/82A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN102N30P | 功能描述:MOSFET 102 Amps 300V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN106N20 | 功能描述:MOSFET 200V 106A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN110N20 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 110A I(D) |
| IXFN110N60P3 | 功能描述:MOSFET 600V 90A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。